DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)，每個(gè)存儲(chǔ)塊可寫(xiě)8次。DS28E80通過(guò)單觸點(diǎn)1-Wire?總線進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)速率或高速率通信。每片器件都擁有唯一的64位識(shí)別碼，由工廠寫(xiě)至芯片。通信符合1-Wire協(xié)議，在多器件的1-Wire網(wǎng)絡(luò)中，64位識(shí)別碼作為節(jié)點(diǎn)地址。
應(yīng)用
- 鑒定和校準(zhǔn)醫(yī)療工具/附件
- 醫(yī)用消費(fèi)品鑒定
- 高耐γ輻射能力，允許用戶在醫(yī)療滅菌之前進(jìn)行編程制造或校準(zhǔn)數(shù)據(jù)
- 承受高達(dá)75kGy (千戈瑞) γ輻射
- 可重編程248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器
- 較小的存儲(chǔ)塊大小，用戶存儲(chǔ)器編程較靈活
- 存儲(chǔ)器分為8字節(jié)存儲(chǔ)塊
- 每個(gè)存儲(chǔ)塊可寫(xiě)8次
- 每個(gè)存儲(chǔ)塊均提供用戶可編程寫(xiě)保護(hù)
- 高級(jí)1-Wire協(xié)議，將接口減小為單觸點(diǎn)
- 緊湊的封裝和單IO接口，減小電路板空間，增強(qiáng)可靠性
- 唯一的工廠編程64位識(shí)別碼
- 1-Wire標(biāo)準(zhǔn)速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
- 工作范圍：3.3V ±10%，-40°C至+ 85°C，讀操作；0°C至+50°C，寫(xiě)操作
- IO引腳具有±8kV HBM ESD保護(hù)(典型值)
- 6引腳TDFN封裝
DS28E30
DS28E40
DS28E84
DS28E16
DS28E39
DS1964S
DS28E50
DS2477
DS28E83
DS28E36
DS28E38
DS28E80
DS2475
DS24L65
DS28E35
DS28EL22
DS28EL15
DS28E22
DS2465
DS28E15
DS28E25
DS28E02
DS28E10
DS28E01-100
