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DMN39M1LFVW 30V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN39M1LFVW

--- 產品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN39M1LFVW
  • 名稱 30V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產品詳情 ---

DMN39M1LFVW 

產品簡介
DIODES 的 DMN39M1LFVW 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應用。

 

產品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN39M1LFVW
名稱                30V N 溝道增強型 MOSFET
產地                臺灣
封裝                 PowerDI?3333-8

 

產品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 87 A
PD @TA = +25°C (W) 2.7 W
PD @TC = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7.4 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40 nC
CISS Typ (pF) 2387 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低 R DS(ON) – 確保導通狀態(tài)損耗最小化
小尺寸熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)更小的最終產品

 

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