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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2066UFDE P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMP2066UFDE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP2066UFDE
  • 名稱 P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 Type E

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2066UFDE  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2066UFDE 這款新一代 20V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合便攜式、電池組和其他電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP2066UFDE
名稱                  P  溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  U-DFN2020-6 Type E


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 36 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 56 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 75 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.4 nC
CISS Typ (pF) 1537 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻


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