--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號(hào) SGN3133-260H-R
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 IK
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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型號(hào)簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260H-R為50V工作的s波段雷達(dá)應(yīng)用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達(dá)200μsec脈沖寬度的長脈沖,占空比為10%。
型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) SGN3133-260H-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地 日本
封裝 IK
型號(hào)參數(shù)
高功率:320W(典型)@引腳=22.9W(43.6dBm)
高效率:57%(典型值)@引腳=22.9W(43.6dBm)
寬帶:3.1至3.3 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
相關(guān)型號(hào)
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