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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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FHX35LG/002 超低噪聲 HEMT

型號： FHX35LG/002

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FHX35LG/002
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FHX35LG/002

型號簡介
Sumitomo的FHX35LG是一種高電子遷移率晶體管（HEMT），用于2-18GHz的通用低噪聲高增益放大器頻率范圍。該器件被封裝成成本有效、低寄生、低功耗的器件，用于大容量電信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪聲應用程序。Eudyna嚴格的質(zhì)量保證計劃確?？煽啃院鸵恢碌男阅?。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FHX35LG/002 
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
低噪聲系數(shù)：1.2B（典型值）@f=12GHz
高相關(guān)增益：10.0dB（典型值）@f=12GHz
Lg≤0.25μm，Wg=280μm
實現(xiàn)高可靠性的金門金屬化
經(jīng)濟高效的陶瓷微帶（SMT）封裝
可提供磁帶和卷軸包裝


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