型號：2N7002WT1G-VB
絲?。篤BK162K
品牌：VBsemi
參數(shù)說明：
- MOSFET類型：N溝道
- 額定電壓：60V
- 最大電流：0.35A
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：1800mΩ @ 10V, 2160mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 閾值電壓（Vth）：1~2.5V
- 封裝：SC70-3

應(yīng)用簡介：
2N7002WT1G-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種電子設(shè)備和電路中，特別適用于需要低功率開關(guān)、信號放大和電流控制的應(yīng)用。

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說明：**

1. **低功率開關(guān)模塊**：
  - 由于其N溝道MOSFET的特性，2N7002WT1G-VB適用于低功率開關(guān)模塊，可用于控制低電壓和低電流的開關(guān)操作。
  - 在便攜式電子設(shè)備、電源管理模塊、小型電子開關(guān)中廣泛使用。

2. **信號放大模塊**：
  - 該MOSFET可用于信號放大模塊，用于放大和控制小信號的傳輸。
  - 在音頻放大器、傳感器接口、信號調(diào)理電路中用于信號處理。

3. **電流控制模塊**：
  - 2N7002WT1G-VB的特性使其適用于電流控制應(yīng)用，可用于調(diào)整和限制電流流動(dòng)。
  - 在恒流源、電流調(diào)節(jié)電路、電流控制開關(guān)中用于精確的電流控制。

4. **模擬開關(guān)模塊**：
  - 該MOSFET可用于模擬開關(guān)模塊，用于開關(guān)模擬信號。
  - 在模擬電路切換、模擬信號選擇和模擬電路開關(guān)中廣泛應(yīng)用。

總結(jié)，2N7002WT1G-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種低功率、信號處理和電流控制應(yīng)用。其特性使其成為低功率電子設(shè)備、信號放大器、電流控制模塊和模擬開關(guān)模塊中的重要組件，有助于實(shí)現(xiàn)精確的電路控制和信號處理。