銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護(hù)電介質(zhì)層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示
2022-10-17 09:29:59
7618 固體鉭電容是將鉭粉壓制成型,在高溫爐中燒結(jié)成陽極體,其電介質(zhì)是將陽極體放入酸中賦能,形成多孔性非晶型Ta2O5介質(zhì)膜,其工作電解質(zhì)為硝酸錳溶液經(jīng)高溫分解形成MnO2,通過石墨層作為引出連接用。
2023-07-31 14:58:37575 
一、試驗的目的和意義 1、 電介質(zhì)又稱絕緣介質(zhì)，也就是絕緣材料。絕緣材料在電場的作用下，總會流過一定的電流，以發(fā)熱的形式產(chǎn)生能量損耗。在電壓的作用下，電介質(zhì)中產(chǎn)生的損耗稱為介質(zhì)損耗。如果介質(zhì)損耗很多
2023-09-24 15:14:40698 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561114 
ALE(LE)RELAY(NEWPCBCLASSB)
2023-03-23 01:48:30
`1.介質(zhì)損耗因數(shù)的定義 絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下,電介質(zhì)中的部分電能將轉(zhuǎn)變成熱能,這部分能量稱為電介質(zhì)損耗,介質(zhì)損耗因數(shù)一般用正切值tanδ表示。電介質(zhì)損耗由電導(dǎo)損耗、游離損耗和極化損耗三部
2020-09-21 21:55:48
定義變量假設(shè)介質(zhì)的相對電介質(zhì)常數(shù)和相對磁導(dǎo)率分別為：Epslr = 4 - 0.3 iMiur = 1.2 - 0.6i則有：材料 1 復(fù)數(shù)介電常數(shù)-實部：epsr1_r = 4材料 1 復(fù)數(shù)
2019-05-21 06:06:05
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
AR增強(qiáng)現(xiàn)實技術(shù)解讀
2021-01-26 06:29:13
SM91501ALE
2023-03-28 13:21:54
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深
刻蝕工藝工程師和
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2017-04-29 14:23:25
蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
嗨，我正在嘗試使用兩種材料定義基板，如附圖所示，用于ADS EM仿真。據(jù)我所知，我需要為此定義電介質(zhì)通路，但我想知道是否有人可以建議如何完成。非常感謝，Mojtaba編輯：Mojtaba77于
2018-12-24 16:46:36
隨著示波器帶寬需求的不斷提升和數(shù)字處理技術(shù)的發(fā)展，示波器里越來越多地采用了帶寬增強(qiáng)技術(shù)，帶寬增強(qiáng)技術(shù)可以在相同硬件成本的情況下提供更高的帶寬。那么，這種技術(shù)是如何實現(xiàn)的，實用中對信號測量會有
2018-04-03 10:34:04
隨著示波器帶寬需求的不斷提升和數(shù)字處理技術(shù)的發(fā)展，示波器里越來越多地采用了帶寬增強(qiáng)技術(shù)，帶寬增強(qiáng)技術(shù)可以在相同硬件成本的情況下提供更高的帶寬。那么，這種技術(shù)是如何實現(xiàn)的，實用中對信號測量會有
2018-04-04 09:17:01
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
金屬化技術(shù)
原理
在電介質(zhì)膜上，鍍上很薄的金屬層，如果電介質(zhì)
出現(xiàn)短路，金屬鍍層會因此而揮發(fā)并將短路的地
方隔離開來。
2008-07-17 10:20:15
27 應(yīng)用模式耦合理論計算了外腔式Fabry-Perot（F-P）干涉型光纖傳感器的輸出光強(qiáng)與F-P腔長的關(guān)系。對組成F-P 腔的光纖端面進(jìn)行了磨平拋光及鍍多層電介質(zhì)膜處理，使光纖端面反射率
2009-06-22 13:26:1727 周期介質(zhì)膜壓縮光柵中的導(dǎo)模共振效應(yīng):使用禍合波法以及特征矩陣法計算了周期膜堆結(jié)構(gòu)以及介質(zhì)壓縮光柵的本征值，研究了介質(zhì)型壓縮光柵產(chǎn)生導(dǎo)模共振現(xiàn)象的條件，并計算了導(dǎo)
2009-10-26 16:52:3212 文章對于第三代短波ALE（快速鏈路建立）進(jìn)行了研究，對其中的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了討論.并在美軍3G-ALE 標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，根據(jù)短波信道的傳播特性，針對窄帶接收的短波快速跳頻通信
2010-01-27 11:56:1522 新型鍍膜技術(shù)實現(xiàn)高性能介質(zhì)膜光學(xué)元件
2010-12-28 17:12:010 CH21型金屬化復(fù)合介質(zhì)膜電容器
CH21 型金屬化復(fù)合膜介質(zhì)電容器采用金屬化復(fù)合膜卷繞而成，樹脂浸涂包封，單向引出，具有電容量穩(wěn)定、溫度系數(shù)小的特點，適用于精密儀
2009-08-21 17:25:09681 鍍復(fù)SiO2膜的電容器介質(zhì)膜
成功一種能在幾百小時連續(xù)沉積SiO2膜的新穎電子束蒸發(fā)裝置，獲國家發(fā)明專利，在此基礎(chǔ)上
2009-12-08 09:03:32702 高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。后柵極又稱為可替換柵極(以下簡稱
2012-05-04 17:11:516392 
比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司已經(jīng)推出微波電纜組件，其中利用了Temp-Flex?空氣電介質(zhì)（air-dielectric）超低損耗（ultra-low-loss）柔性微波同軸電纜
2013-07-25 11:41:482769 某項目在進(jìn)行ESD測試當(dāng)中，當(dāng)靜電槍靠近塑膠機(jī)器浮地產(chǎn)品的外殼進(jìn)行空氣放電時12KV，機(jī)器容易死機(jī)，重啟或者VDD損壞。本文避重就輕，由EMC的點，來折射出EMC的面與體，我們選擇了材料與器件
2018-05-18 02:19:003482 
本文將介紹MDTV用變頻芯片電介質(zhì)天線的電感器選定示例。變頻芯片電介質(zhì)天線改變天線的諧振頻率，涵蓋了超過相對帶寬50%的470-800MHz頻段。采用變?nèi)荻O管來改變頻率，按頻道切換頻率。由于本天線實現(xiàn)了小型化，因此可以采用LQW系列，內(nèi)置于手機(jī)終端內(nèi)。
2018-01-13 09:34:089236 。從耐高溫聚合物電介質(zhì)材料的發(fā)展歷史、結(jié)構(gòu)特性以及應(yīng)用研究等方面進(jìn)行了綜述。重點介紹了耐高溫聚合物電介質(zhì)材料在軌道交通牽引電機(jī)、新能源電力設(shè)備以及航空航天電氣設(shè)備等電工絕緣領(lǐng)域中的應(yīng)用狀況。最后對耐高溫聚合物
2018-01-15 11:31:350 介電常數(shù)是電介質(zhì)物理里面常見的一物理概念，但是物理意義不是十分清楚，是些書本上說，介電常數(shù)表征的是電介質(zhì)的束縛電荷的能力，也可表征材料的絕緣性能，介電常數(shù)越大，束縛電荷的能力越強(qiáng)，材料的絕緣性能越好，既然介電常數(shù)越大。
2018-03-07 16:16:33296847 
下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路（Cn）和一被試回路（Cx）。
2018-03-20 10:24:041781 本文主要介紹了介質(zhì)損耗測試儀工作原理。介質(zhì)損耗測試儀測量方式及原理、介質(zhì)損耗計算公式。在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)
2018-03-20 11:08:2920028 高儲能密度和高可靠性電介質(zhì)儲能材料在各種電力、電子系統(tǒng)中扮演著越來越重要的角色，特別是在高能脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域有著不可替代的應(yīng)用。
2018-07-16 11:02:044075 ），Planar fxP，在單一產(chǎn)品平臺上提供0.1微米生產(chǎn)的完整介電路線圖。 Planar fxP采用Trikon專利的Flowfill和Low k Flowfill技術(shù)，用于標(biāo)準(zhǔn)和低k金屬間電介質(zhì)
2020-02-14 11:07:441594 固體介質(zhì)廣泛用作電氣設(shè)備的內(nèi)絕緣，常見的有絕緣紙、紙板、云母、塑料等。高壓導(dǎo)體總是需要用固體絕緣材料來支持或懸掛，這種固體絕緣稱為絕緣子，而用于制造絕緣子的固體介質(zhì)有電瓷、玻璃、硅橡膠等。
2019-11-30 16:31:3012824 電介質(zhì)物理學(xué)的相關(guān)知識，這是做電介質(zhì)材料的基礎(chǔ)，它對各章節(jié)的內(nèi)容根據(jù)教學(xué)經(jīng)驗進(jìn)行了精選，物理圖象和基本概念解釋的清晰透徹。而且內(nèi)容中涉及到了量子力學(xué)，統(tǒng)計物理學(xué)，熱力學(xué)，電動力學(xué)，固體物理和半導(dǎo)體科學(xué)等.
2020-05-28 08:00:0045 電阻、氧化物漏電、氧化物與半導(dǎo)體間不希望有的損耗介電薄層、多晶硅耗盡層和表面粗糙度等等的影響。減少納米級MOS器件中柵極漏電的迫切需求刺激了用高k電介質(zhì)替代SiON的努力。但是，將高k電介質(zhì)引入生產(chǎn)線將再次引起C-V測量曲線積累區(qū)處的頻率離散。到目前為止，頻率離散的準(zhǔn)確來源仍有待討論。
2020-08-13 14:44:00717 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進(jìn)行
2020-12-29 14:42:588547 
薄膜電容的分類介紹 電介質(zhì)分類 按電介質(zhì)的不同可將薄膜電容器分為以下三種類型： T型：即PET –Polyethylene(聚乙烯對苯二酸鹽（或酯）)P型：即PP-Polypropylene（聚丙烯
2021-05-25 00:18:572130 平時所看到的電容器，雖然外表體型很小，但是內(nèi)部卻另有乾坤，現(xiàn)在市場的電容器，大多數(shù)規(guī)格和尺寸都是差不多的，所以更多是比拼的是內(nèi)部質(zhì)量，而電介質(zhì)作為核心產(chǎn)品原料，它的質(zhì)量和發(fā)揮會直接影響到電容的優(yōu)劣勢。很負(fù)責(zé)任的告訴各位，對于電介質(zhì)的了解很重要，尤其是注意電介質(zhì)的意外和相關(guān)處理方法。
2021-06-17 14:34:13625 與發(fā)展現(xiàn)狀，重點討論了導(dǎo)熱填料、界面相容、成型工藝對材料導(dǎo)熱系數(shù)的影響，最后結(jié)合導(dǎo)熱聚酰亞胺復(fù)合電介質(zhì)材料未來發(fā)展的需要，對研究中存在的一些關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題進(jìn)行了總結(jié)與展望。
2022-11-11 15:13:571392 每一臺刻蝕設(shè)備都需做好在最佳條件下運行的準(zhǔn)備。我們的刻蝕工藝工程師運用精湛的制造技術(shù)，完成這一細(xì)節(jié)工藝的處理。
2023-01-07 14:08:363141 刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072586 陶瓷電容器是以陶瓷材料為電介質(zhì)的電容器的總稱。品種繁多，尺寸差異很大。按電壓可分為高壓、中壓、低壓陶瓷電容器。根據(jù)溫度系數(shù)，介電常數(shù)可分為負(fù)溫度系數(shù)、正溫度系數(shù)、零溫度系數(shù)、高介電常數(shù)和低介電常數(shù)
2023-03-08 14:40:003563 
電介質(zhì)材料快速且高效的導(dǎo)熱散熱已成為影響電子設(shè)備發(fā)展的關(guān)鍵問題。傳統(tǒng)聚酰亞胺本征導(dǎo)熱系數(shù)較低，限制了在電氣設(shè)備、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域中的應(yīng)用，發(fā)展新型高導(dǎo)熱聚酰亞胺電介質(zhì)
2022-09-15 10:26:332257 
檢測方案已成功應(yīng)用于 low-k 電介質(zhì)沉積應(yīng)用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時, 縮短了生產(chǎn)時間.
2023-06-21 10:03:30238 
對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。
2023-08-14 10:22:56911 
一、電介質(zhì)的損耗 介質(zhì)損耗是指絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。介質(zhì)損耗也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。表征某種絕緣材料的介質(zhì)損耗，一般不用W或J等單位來表示
2023-09-24 16:08:312299 一、電介質(zhì)的電導(dǎo) 電介質(zhì)的電導(dǎo)可分為離子電導(dǎo)和電子電導(dǎo)，離子電導(dǎo)以離子為載流體，電子電導(dǎo)以自由電子為載流體。 1、離子電導(dǎo) 實際工程上所用的電介質(zhì)多少含有一些雜質(zhì)離子，這些離子與電介質(zhì)分子聯(lián)系非常
2023-09-26 16:47:53809 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003308 
電介質(zhì)是能夠被電極化的絕緣體。電介質(zhì)的帶電粒子是被原子、分子的內(nèi)力或分子間的力緊密束縛著，因此這些粒子的電荷為束縛電荷。
2023-11-10 09:33:03282 
信號如何在無限大的導(dǎo)電介質(zhì)中傳播
2023-11-24 16:06:16168 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59512 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點探測 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42131 
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