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E2PROM存儲單元的三種工作狀態(tài)
E2PROM存儲單元的三種工作狀態(tài)
- 存儲單元(16064)
- EEPROM(79986)
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2022-01-11 06:27:03
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比E2PROM和NOR Flash容量大穩(wěn)定性高的SD NAND Flash
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一般單片機(jī)都有內(nèi)部E2PROM，可以保存運行中數(shù)據(jù)，掉電數(shù)據(jù)不消失，STM32有類似這樣的東西嗎？
2020-04-08 02:25:38
請問在F28M35中是否在FLASH中存在一個區(qū)域被劃為E2PROM
請問在F28M35中，是否在FLASH中存在一個區(qū)域被劃為E2PROM，請問該如何使用這片區(qū)域，有多大，謝謝
2018-11-08 09:54:59
采用AT89S2051單片機(jī)配合串行E2PROM存儲器實現(xiàn)CPLD/FPGA器件的被動串行模式的下載配置
針對基于SRAM工藝的器件的下載配置問題，本文介紹采用AT89S2051單片機(jī)配合串行E2PROM存儲器，實現(xiàn)CPLD/FPGA器件的被動串行（PS）模式的下載配置。
2021-04-13 06:25:40
采用STC89C52單片機(jī)實現(xiàn)智能電子密碼鎖的控制功能
與單片機(jī)內(nèi)部E2PROM中的密碼是否相同，如密碼相同則開鎖、執(zhí)行開鎖動作、輸出開鎖信號、進(jìn)入正常狀態(tài)，否則繼續(xù)等待用戶開鎖(為防止非法用戶惡意多次試探密碼，可在程序中設(shè)置當(dāng)連續(xù)三次輸入錯誤密碼后自動報警
2018-07-19 02:04:41
采用STC89C52單片機(jī)的電子密碼鎖設(shè)計原理及實現(xiàn)
。鑒于以往單片機(jī)的內(nèi)部程序存儲器不能由單片機(jī)自身修改，要完成修改密碼功能，多采用片外串行E2PROM實現(xiàn)。宏基公司生產(chǎn)的STC89系列單片機(jī)，高速、低功耗、新增在系統(tǒng)／在應(yīng)用可編程(ISP，IAP
2009-10-23 09:58:47
采用硬件I2C讀取E2PROM，單片機(jī)復(fù)位發(fā)生死鎖怎么辦？
現(xiàn)象：單片機(jī)采用硬件I2C讀取E2PROM，當(dāng)單片機(jī)復(fù)位時，會有概率出現(xiàn)再無法與E2PROM通信，此時SCL為高，SDA一直為低。原因：當(dāng)單片機(jī)正在和E2PROM通信，如果主正好發(fā)生打算發(fā)第9個時鐘
2017-08-29 20:17:26
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內(nèi)置Reset WDT 電路的串行E2PROM一概述CSI24Cxxx 是集E2PROM 存儲器, 精確復(fù)位控制器和看門狗定時器三種流行功能于一體的芯片CSI24C161/162 16K CSI24C081/082 8K CSI24C041/042 4K 和CSI24C021/022
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35內(nèi)置Reset WDT電路的串行E2PROM原理及應(yīng)用設(shè)計
CAT24Cxxx是集E2PROM存儲器, 精確復(fù)位控制器和看門狗定時器三種流行功能于一體的芯片。CAT24C161/162（16K），CAT24C081/082（8K），CAT24C041/042（4K）和CAT24C021/022（2K） 主要作為I2C 串行CMOS E2PR
2009-11-18 11:22:0353
53基于FPGA的可靠性E2PROM控制器設(shè)計
E2PROM 是較常用的存儲器件。但在特殊的場合，其可靠性或其使用壽命對系統(tǒng)的正常運行有很大影響。為此介紹了I2C 總線及E2PROM 的工作原理，提出了一種具有較高可靠性的E2PROM 控制
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15高性能開關(guān)電流存儲單元的設(shè)計及應(yīng)用
對第一代開關(guān)電流存儲單元產(chǎn)生的時鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設(shè)計了一種高性能開關(guān)電流存儲單元。該電路僅在原存儲單元的基礎(chǔ)上增加了一個MOS管，使誤差降為原來的4%，
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引言 開關(guān)電流存儲單元是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號處理系統(tǒng)的基本單元電路，其性能的優(yōu)
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數(shù)字控制電位器(DCP)是一種可由外部微處理器等來自由設(shè)定阻值的可變電阻器。與機(jī)械式電位器不同，它沒有可動部分，因
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低頻功率輸出級按功放管的工作狀態(tài)為甲類、乙類、丙類三種。
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基于SPI方式DSP外部E2PROM接口設(shè)計
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近年來，隨著DSP技術(shù)的普及、高性能DSP芯片的出現(xiàn)，DSP已越來越多地被廣大的工程師所接受，
2010-01-06 14:10:531910
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ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗_E2PROM存儲器
電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗04E2PROM存儲器
2016-09-13 17:23:280
0基于OTP存儲器存儲單元讀取閥值
。O工P存儲器的種類很多，很多是基于熔絲和反熔絲，本文介紹的O工P存儲器基于反熔絲結(jié)構(gòu)。在反熔絲O工P存儲器中，通過對選中單元的編程改變了存儲單元內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。理想的讀機(jī)制下，沒有編程的存儲單元讀取時會讀出0，而通過編程的存儲單元在讀取時會讀出1。反
2017-11-07 11:45:2111
11AT24C02串行CMOS E2PROM的使用資料詳解
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AT24C02串行CMOS E2PROM的使用資料詳解。
2019-06-14 17:44:0010
10存儲單元結(jié)構(gòu)
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲單元，再通過位線對所觸發(fā)的存儲單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿Ｔ陟o態(tài)CMOS存儲器中，存儲單元陣列將會占去整個存儲器芯片面積的一半以上，在一些
2020-05-14 09:19:473282
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根據(jù)數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲單元有幾種
等。 靜態(tài)存儲單元（SRAM）的典型結(jié)構(gòu)： T5、T6、T7、T8都是門控管，只要柵極高電平，這些管子就工作在可變電阻區(qū)當(dāng)作開關(guān)。 其中存儲單元通過T5、T6和數(shù)據(jù)線（位線）相連;數(shù)據(jù)線又通過T7、T8和再經(jīng)輸入/輸出緩沖電路和輸入/輸出線相連接，以實現(xiàn)信息的傳遞和交換。寫入
2020-12-02 14:31:302182
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計算機(jī)信息存儲單元的結(jié)構(gòu)解析
數(shù)據(jù)必須首先在計算機(jī)內(nèi)被表示，然后才能被計算機(jī)處理。計算機(jī)表示數(shù)據(jù)的部件主要是存儲設(shè)備；而存儲數(shù)據(jù)的具體單位是存儲單元；因此，了解存儲單元的結(jié)構(gòu)是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269
2269淺談閃速存儲器和存儲單元連接方式
閃速存儲器(Flash Memory)又稱閃存(Flash)，是一種非易失性存儲器,用存儲單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場效應(yīng)管(見圖5-80)是Flash存儲單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076
1076介紹一款超小型封裝尺寸的1Mbit串行FRAM—MB85RS1MT
使用的存儲單元可以執(zhí)行1013次寫/讀操作，大大超過了閃存或E2PROM可以重寫的次數(shù)。不需要像閃存和E2PROM這樣的長寫入時間，并且寫入等待時間為零。 因此，無需等待寫入完成序列。
2022-11-17 15:31:27573
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工商網(wǎng)監(jiān)
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