,并簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,合作內(nèi)容包含了基于某些客戶的需求,進行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導體模塊,及對應電機控制器的開發(fā)。本文即介紹臻驅(qū)對碳化硅功率模塊的開發(fā)、測試及系統(tǒng)評估。 Introduction 碳化硅功率半導體近年來在能源轉(zhuǎn)換
2020-11-24 11:51:47
1754 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/D0/67/o4YBAF-8gr2AY6VjAAAgieOrOqQ225.png)
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
復雜的設(shè)計,功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件? 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達到極限時,碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
技術(shù)需求的雙重作用,導致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應運而生,如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計人
2023-03-14 14:05:02
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱?,具有低的導通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
,封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素?;?b class="flag-6" style="color: red">半導體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標準進行測試。目前碳化硅二級管產(chǎn)品已通過AEC-Q101測試,工業(yè)級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機和太陽能逆變器,不僅可以從這些新器件中受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實現(xiàn)高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對新設(shè)計充滿好奇,也是意法半導體的戰(zhàn)略。碳化硅(SiC)技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
?! ?b class="flag-6" style="color: red">功率半導體就是這樣。在首度商業(yè)化時,碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴,盡管認識到了與硅基產(chǎn)品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優(yōu)勢,大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
應用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設(shè)備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
材料施加熱應力,評估器件內(nèi)部各種不同材質(zhì)在熱脹冷縮作用下的界面完整性;此項目標準對碳化硅功率模塊而言很苛刻,尤其是應用于汽車的模塊。HTRB(高溫反偏測試)HTRB是分立器件可靠性最重要的一個試驗項目
2023-02-20 15:27:19
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導體器件效率更高,運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言,半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比,故在相似的功率等級下,SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低,開關(guān)損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
應用范圍也越來越廣。據(jù)報道,美國特斯拉公司的馬達驅(qū)動逆變器使用的是碳化硅半導體。另外,很多讀者都已經(jīng)在電器市場上看到了使用了氮化鎵半導體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導體,其內(nèi)部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
,在這些環(huán)境中,傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應用的性能,包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天,SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來,預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
,獲得華大半導體有限公司投資,創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度,實現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半導體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?! ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期(VAC大于0)的時候,T2為主開關(guān)管?! ‘擳2開通時,電感L儲能,電流
2023-02-28 16:48:24
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力,基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上,使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小,極大地減小了驅(qū)動回路和功率回路的寄生電感參數(shù)。阿肯色大學則針對碳化硅芯片開發(fā)了相關(guān)的 SiC CMOS 驅(qū)動
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動?! 〗酉聛斫榻B基本半導體碳化硅MOSFET及驅(qū)動產(chǎn)品 基本半導體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關(guān)損耗小的特點,可降低
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導體技術(shù)的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān),通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
華為為5G鋪路,布局碳化硅半導體,打破國外第三代半導體市場壟斷
2019-08-27 11:19:03
4989 、測試及推廣以碳化硅為基礎(chǔ)材料的功率半導體技術(shù),服務上海以至全國的功率半導體芯片、功率模塊、零部件供應商和整機廠全產(chǎn)業(yè)鏈,加快下一代先進功率半導體芯片和功率模塊的推廣和產(chǎn)業(yè)化應用。 揭牌儀式上,臻驅(qū)科技董事長兼總經(jīng)理沈捷表示,
2020-07-09 16:35:58
2184 近日,由華大半導體和復旦大學共建的上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心舉行揭牌儀式。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲、上海市科委、復旦大學和華大半導體等相關(guān)領(lǐng)導出席了揭牌儀式并致辭,來自
2020-10-10 15:37:31
3022 碳化硅半導體器件供應商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日,毅達資本在官方微信宣布,已完成對致瞻科技的投資。依托核心團隊10余年的碳化硅功率半導體設(shè)計和驅(qū)動系統(tǒng)研發(fā)經(jīng)驗
2020-11-30 10:33:27
2200 SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32
140 基本半導體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:08
7839 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/21/8F/poYBAGGkeU2AVXFtAAdWOBlopHk809.png)
12月30日,基本半導體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,采用先進碳化硅專用封裝工藝技術(shù),打造
2021-12-31 10:55:43
2797 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/2B/26/poYBAGHOcumAQK91AABTW5LkSD0035.jpg)
與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:04
3206 在高端應用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛,被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:16
1073 為提升新能源汽車整體性能,全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導體。相較傳統(tǒng)硅基模塊,碳化硅功率模塊可大幅提升電機控制器的功率密度和效率,在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時間、減少整車重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力,堪比功率半導體里的“學霸”。
2022-08-01 14:58:55
910 相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:06
5312 ? ? ? 日本媒體報道稱日本羅姆(ROHM)12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導體。原材料是碳化硅(SiC),羅姆花費約20年推進了研發(fā)。據(jù)稱,羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產(chǎn)
2022-11-28 16:51:24
498 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:49
632 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/87/77/poYBAGOufYqABCCBAAIj03_Xz-w207.png)
半導體屆“小紅人”——碳化硅肖特基,讓你的電源溫度低過冰墩墩
2022-12-30 17:05:47
437 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/87/87/poYBAGOuqeyATfzAAAEX07FEAEY144.png)
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來,全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:44
1230 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/8A/85/poYBAGPAzR6AFeH7AAF2cex8HbE268.png)
汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00
467 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,屬于第三代半導體材料,其禁帶寬度高達3.0eV,相比第一代半導體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:09
2602 碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:16
3637 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8E/9A/pYYBAGPctwWAARCVAAJJ3jZI8KQ768.png)
碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32
933 功率半導體碳化硅(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長,這種技術(shù)可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:44
8 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來,全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:25
4 的方法來構(gòu)建這此關(guān)鍵元素。碳化硅(SiC)半導體不同于普通的硅半導體。當使用動力電子設(shè)備和電力系統(tǒng)時,它表現(xiàn)出有限的導熱性、在某些應用中難以改變頻率、低帶隙能量以及更多的功率損耗然而,它也有好處。以下是碳化硅
2023-02-20 15:51:55
0 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導體等國內(nèi)碳化硅功率器件供應商的產(chǎn)品批量應用在汽車上,浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:45
2 晶圓(前端工藝)。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試(后段工藝)就變成了我們現(xiàn)在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:11
1693 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/93/34/pYYBAGP0JjuAR46PAAKIidd6gz8607.png)
什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:47
2091 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統(tǒng)的電子器件,由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件,采用現(xiàn)代半導體技術(shù)制造而成,可以實現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān),適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應用。
2023-02-25 15:03:22
2181 按照電學性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應用領(lǐng)域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:37
2437 本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導體晶圓制程中的應用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27
712 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/1E/wKgZomREkQeAKALuAAAoJGrXjUE550.png)
意法半導體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51
931 ? 5月, SNEC第十六屆(2023)國際太陽能光伏與智慧能源大會 在上海新國際博覽中心重磅舉行?;?b class="flag-6" style="color: red">半導體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ,以及全系 汽車級碳化硅功率模塊 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36
502 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20
390 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:15
1182 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應,即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34
802 1、半導體照明領(lǐng)域以碳化硅為基板的LED在此期間具有更高的亮度、更低的能耗、更長的壽命、更小的單位芯片面積,在大功率LED中具有很大的優(yōu)勢。2.各種電機系統(tǒng)在5kV以上的高壓應用中,半導體碳化硅功率
2021-12-07 10:36:02
546 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/23/E8/pYYBAGGuxX2AarfaAARcmpYTe0g933.png)
碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來,全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國
2023-05-15 10:04:53
804 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/43/36/poYBAGJ82TeAPsAHAAA_r6nG8nE277.jpg)
碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:09
2320 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/90/wKgZomSblBOAe5l4AABwiOvWtxs320.png)
羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01
724 碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:45
1094 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29
344 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A7/F9/wKgZomUSmTmAV6cXAAEDKqxyNjk704.png)
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點,被廣泛應用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:57
1220 碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導體,用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16
169 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A8/8F/wKgaomUt5xKASW4NAABMjvsVgGU441.png)
業(yè)內(nèi)人士預測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進展,多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21
970 目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設(shè)期需18-24個月,去年有許多碳化硅項目的投資,要2025年才會釋放產(chǎn)能,預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18
664 目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構(gòu)預測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計,2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37
603 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B2/E5/wKgaomVwPBOAOCF-AATFWSCDaOM373.png)
碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23
438 碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導體材料,具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點,在高功率和高溫應用中具有廣泛的應用前景。碳化硅三極管是基于碳化硅材料制造的一種
2023-12-21 11:27:20
318 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18
331 碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49
382 碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導體(Si)是兩種常見的半導體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而,碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導體具有一定的優(yōu)缺點。 優(yōu)點: 更高的熱導率:碳化硅的熱導率是傳統(tǒng)硅半導體
2024-01-10 14:26:52
236 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14
294 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BD/11/wKgaomWfsCeAdV8EAAIzi8E-aeU262.jpg)
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