(電子發(fā)燒友原創(chuàng)? 文/章鷹)近日,美國Power Integrations公布了截至2022年3月31日的季度財務(wù)業(yè)績,第一季度的營業(yè)收入為1.821億美元,同比增長5%。第一季度的凈利潤
2022-05-16 09:09:334421 Power Integrations門極驅(qū)動器產(chǎn)品高級市場總監(jiān)Michael Hornkamp表示:“碳化硅MOSFET技術(shù)開啟了減小尺寸和重量的大門,并且還可以降低電源系統(tǒng)的損耗
2019-02-27 12:46:524252 在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢?;谶@些優(yōu)勢,當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:442091 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC的新成員。
2019-07-26 15:15:491152 Power Integrations今日推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQSCALE-iDriver門極驅(qū)動器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動器IC之后,新器件
2020-01-24 09:42:002938 ROHM針對這些挑戰(zhàn),于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導(dǎo)體性能的IC,在行業(yè)中處于先進(jìn)地位。
2021-06-20 10:58:48962 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031361 Digi-Key Electronics 日前宣布與高壓電源轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Power Integrations 合作,供應(yīng)其采用 PowiGaN? 技術(shù)的 InnoSwitch?3 IC 系列。
2021-09-17 09:46:03790 PI看到了電動車的這個發(fā)展趨勢,因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品,該產(chǎn)品采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC,將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:224954 中國上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55904 CRD-060DD12P,用于單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計的演示板,采用市售的1700V碳化硅(SiC)MOSFET,取代傳統(tǒng)的雙開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器,用于三相應(yīng)用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產(chǎn)品而設(shè)計的,僅用作評估Cree開關(guān)設(shè)備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
DER-937是一款采用高度集成的升壓PFC和氮化鎵反激式開關(guān)IC設(shè)計的100W USB PD充電器,總共僅使用117個元件深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power
2021-11-10 17:34:53
。如果是相同設(shè)計,則與芯片尺寸成反比,芯片越小柵極電阻越高。同等能力下,SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小,因此柵極電容小,但內(nèi)部柵極電阻增大。例如,1200V 80mΩ產(chǎn)品(S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。 因此,沒有必要再采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)(導(dǎo)通電阻變低,則開關(guān)速度變慢),就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷! ?. VD
2023-02-07 16:40:49
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品,但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例1:移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機(jī),是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
與IGBT相比,SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻,非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
柵極電壓,在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間,也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
增強(qiáng)型8引腳SO封裝中集成了2 A、150 V DMOS功率開關(guān), 以及所有高壓電路和控制邏輯。LT8304/LT8304-1支持3 V至100 V 的輸入電壓范圍,最多可提供24 W的隔離輸出功率
2018-10-30 11:48:08
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品,但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
LPC11C00宣傳頁:業(yè)界首款集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案,可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源,其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
高壓充電還是低價充電在業(yè)界總是個矛盾討論的問題,不過最新消息,我司已推出第一款高壓4.35鋰電池電源管理IC。廠家新開發(fā)TX4353,移動電源高壓線性電源管理IC,高壓IC,4.35V-5.0V任性
2016-06-06 13:07:16
Power Integrations公司今日發(fā)布900 V恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC器件,為InnoSwitch?-EP產(chǎn)品系列再添新成員。新器件適用于由高壓直流或三相電供電的工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動
2018-10-09 14:15:31
使用,BM6101是一款電流隔離芯片,通過它進(jìn)行兩級驅(qū)動Mosfet管。而驅(qū)動的電壓就是通過開關(guān)電源調(diào)整得到的電壓,驅(qū)動電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。利用示波器在在這時對柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認(rèn)識到,SiC MOSFET 的輸出開關(guān)電流變化率 (di/dt) 遠(yuǎn)高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時振蕩、電磁干擾以及輸出級損耗。高開關(guān)速度還可能導(dǎo)致電壓過沖。滿足高電壓應(yīng)用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ,采用 一體化封裝 ,已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 (TO263-7L)中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
頻應(yīng)用而設(shè)計。與競爭對手器件相比,室溫和熱時的開關(guān)損耗。此外,據(jù)我們所知,我們發(fā)現(xiàn)制造功率二極管的一種經(jīng)濟(jì)方法是使用市售的6英寸600V至1700V深擴(kuò)散磷晶片,而不是使用多質(zhì)子注入來獲得N緩沖區(qū)
2023-02-27 09:32:57
羅姆(ROHM)株式會社是全球最知名的半導(dǎo)體廠商之一,由其推出的BM2LB150FJ-C是一款汽車級的低側(cè)開關(guān)IC,具有雙通道,已通過AEC-Q100認(rèn)證,是一款將控制模塊(CMOS)和功率
2019-04-29 05:23:26
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
快速增長的電動汽車市場,安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動器以及一個用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
新品發(fā)布|業(yè)界首款!潤開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的智能硬件開發(fā)平臺HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiC)MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計演示板。該設(shè)計采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝,占板面
2019-04-29 09:25:59
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉(zhuǎn)換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400~690V輸入 24V/1A輸出,搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設(shè)備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET:SCT2H12NZ(右)的導(dǎo)通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出,上述IC的柵極驅(qū)動電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
SOIC封裝,包含米勒箝位,以便柵極電壓低于2 V時實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的SiC/GaN MOS或IGBT單軌電源關(guān)斷。輸出側(cè)可以由單電源或雙電源供電。去飽和檢測電路集成在ADuM4135上,提供高壓短路開關(guān)工作
2018-10-22 17:01:41
驅(qū)動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析,對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論,給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:5239 AWMF-0224 雙通道中頻收發(fā)器 IC 如有需求歡迎聯(lián)系A(chǔ)WMF-0224 是業(yè)界首款完全集成的雙通道 IF 上/下轉(zhuǎn)換器,帶有集成 PLL/VCO LO 合成器。該半雙工
2024-01-02 11:57:33
Power Integrations再次推出新的TOPSwitch?-HX系列離線式開關(guān)IC
Power Integrations公司宣布為其廣受歡迎的TOPSwitch-HX系列AC-DC功率轉(zhuǎn)換IC推出全
2008-08-18 09:48:01585 Power Integrations的EcoSmart技術(shù)已節(jié)省30多億美元的能源費(fèi)用用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路廠商Power Integrations公司自1998年推出高能效EcoSmart節(jié)能技術(shù)以來,大約已為全世界的消
2008-08-28 09:13:22444 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司近日宣布推出其HiperPLC(名稱涵義為高功率、功率因數(shù)校正、LLC及控制器)系列電源控制器IC。HiperPLC是高度集成、高
2008-11-13 10:05:11792 Power Integrations新推出的參考設(shè)計可滿足最新的ENERGY STAR音頻放大器電源待機(jī)功率規(guī)范
PeakSwitch?集成PSU控制器 / MOSFET IC,可為5.1通道家庭
2009-05-29 00:01:13689 Power Integrations 實(shí)現(xiàn)能效高達(dá)92%、最大功率 150 W 的LED 路燈電源設(shè)計
用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations 公
2009-06-21 12:25:03561 Power Integrations 的能效計算器將幫助設(shè)計師克服外部電源標(biāo)準(zhǔn)的困擾
用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations
2009-06-21 12:26:56594 Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX電源轉(zhuǎn)換IC
Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件,新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成,其內(nèi)部均集成有一個725V功率
2010-03-05 10:41:231058 集成控制器和MOSFET的新型TOPSwitch-JX
Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件,新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成,其內(nèi)部均集成有一個725 V功率MOSFET
2010-03-09 10:34:42620 集成控制器和MOSFET的新型TOPSwitch-JX
Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件,新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成,其內(nèi)部均集成有一個725 V功率MOSFET
2010-03-10 11:28:41875 PI推出可對X電容自動放電的雙端子CAPZero系列IC
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司日前宣布推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC,該IC可對X電
2010-04-20 10:21:46979 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司日前推出集成
2010-10-15 09:15:04908 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品,一款集成高壓MOSFET
2010-11-11 08:48:52642 Power Integrations公司日前宣布推出一款適用于高壓應(yīng)用的高集成度電源IC產(chǎn)品系列 - HiperTFS。HiperTFS系列器件是唯一一款
2010-11-15 08:53:35739 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出其最新零空載功率產(chǎn)品系列LinkZero-LP。這款高度集成的離線式開關(guān)IC可在負(fù)載斷開后自動進(jìn)入
2010-12-10 09:02:25690 MXIM推出MAX12005,業(yè)界首款8 × 4衛(wèi)星中頻開關(guān)IC可擴(kuò)充到允許多達(dá)16個衛(wèi)星信號。高度集成,MAX12005非常靈活,一個空間受限的范圍廣,如果分配和多路開關(guān)應(yīng)用衛(wèi)星的適應(yīng)性。
2011-01-14 09:52:00536 Power Integrations公司近日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC,新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中
2011-09-15 10:01:50904 Power Integrations公司日前推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC,新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中
2011-09-23 09:17:451308 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持 14 個電源電壓軌的汽車電源管理集成電路 (PMIC)。作為業(yè)界首款支持超過 10 個電壓軌的汽車 PMIC
2011-10-26 09:45:51742 美國加利福尼亞州圣何塞,2013年11月12日訊 – 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日宣布推出HiperTFS
2013-11-13 14:53:531603 2014年7月23日,用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號:POWI)宣布推出其LinkSwitch?-3系列高度集成的單片開關(guān)IC。
2014-07-30 09:16:461364 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日發(fā)布一類全新的電源IC。
2014-11-13 10:39:33940 美國加利福尼亞州圣何塞,2015年1月28日訊 — 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日發(fā)布LinkSwitch?-4系列恒壓/恒流初級側(cè)調(diào)節(jié)(PSR)開關(guān)IC。
2015-01-29 15:37:072087 SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:311923 高效率、高可靠性LED驅(qū)動器IC領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出LYTSwitch?-3產(chǎn)品系列 — 該公司LYTSwitch系列LED驅(qū)動器IC的最新成員。
2016-03-03 16:13:53958 美國加利福尼亞州圣何塞,2016年4月12日訊 — 致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日發(fā)布InnoSwitch?-CE IC,新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC的子系列。
2016-04-13 09:38:131262 Power Integrations公司4月12日發(fā)布InnoSwitch-CEIC,新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線A反激式開關(guān)IC的子系列。InnoSwitch-CEIC適用于TEC法規(guī)相關(guān)的消費(fèi)電子應(yīng)用(TEC法規(guī)是由政府認(rèn)定的重要總能耗法規(guī))。
2016-04-13 17:16:201409 美國加利福尼亞州圣何塞,2017年5月16日 – 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道
2017-05-19 15:45:09946 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關(guān)電源IC
2018-10-24 11:40:014300 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQ SCALE-iDriver?門極驅(qū)動器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動器IC之后,新器件擴(kuò)展了公司的汽車級驅(qū)動器IC的范圍。
2020-01-16 09:31:002755 。 該板有三個輸出:+15V、-15V和+24V,輸出功率高達(dá)62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件(SMD)封裝的1700V CoolSiC MOSFET作為主開關(guān),非常適合高輸入電壓
2021-09-07 14:11:032397 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)工業(yè)4.0時代及電動汽車快速的普及,工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰,SiC MOSFET
2021-09-16 11:05:374228 集成半橋電路的家電用電機(jī)驅(qū)動器可省去散熱片,大幅縮減軟件認(rèn)證時間及成本美國加利福尼亞州圣何塞--(美國商業(yè)資訊)--深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations
2021-11-09 11:36:0033 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC。新IC可提供高達(dá)70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車,以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
2022-02-15 11:45:53958 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:121888 APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今天宣布推出內(nèi)部集成750V PowiGaN?氮化鎵開關(guān)
2022-03-22 12:44:091014 Power Integrations (PI)發(fā)布了兩款新的符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定耐壓1700V的IC,為其InnoSwitch?3-AQ產(chǎn)品系列再添新成員。
2022-05-07 16:14:451526 隨著充電速度的提高,800V電池正在成為電動汽車的標(biāo)準(zhǔn)配置。PI的符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的InnoSwitch3-AQ系列開關(guān)IC現(xiàn)已推出額定電壓1700V的衍生新品,其內(nèi)部集成碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET,可使靈敏控制電路安全地從800V電池中取電。
2022-07-06 15:29:032076 Power Integrations (PI) 宣布為其 InnoSwitch?3-AQ 系列新增兩款 1700 伏額定 AEC-Q100 合格 IC。新的解決方案包括用于汽車級開關(guān)電源的碳化硅
2022-07-29 08:07:271217 相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計更簡單,成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582311 Infineon,最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計
2022-08-28 11:17:068 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今天宣布推出InnoSwitch?4-Pro系列可數(shù)字控制的離線恒壓/恒流零電壓開關(guān)
2022-11-15 21:40:22668 Power Integrations今天推出InnoSwitch4-Pro系列可數(shù)字控制的離線恒壓/恒流零電壓開關(guān)(ZVS)反激式IC,可大幅縮減電源適配器的尺寸。這些高度集成的器件采用穩(wěn)定耐用
2022-11-16 11:44:37601 重點(diǎn)必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-規(guī)格篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19389 “BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:23656 前幾天,三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄(.點(diǎn)這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:55860 ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:05495 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等,對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07256 ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC
2023-10-31 11:12:52266 、1700V碳化硅開關(guān)以及其它衍生出的750V、900V和現(xiàn)在1250V耐壓的PowiGaN開關(guān)。 Power Integrations專有的1250V PowiGaN技術(shù)的開關(guān)損耗不到相同電壓下同等硅器件開關(guān)損耗的三分之一
2023-10-31 16:54:481873 新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量,在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵(GaN)電源IC,采用1,250
2023-11-02 17:21:00590 11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18757 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器,新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)
2023-12-14 11:37:10288 PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器,新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日宣布推出InnoSwitch?5-Pro系列高效率、可數(shù)字控制的反激式開關(guān)IC
2024-02-01 15:01:59146
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