5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位，三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局
2021-05-10 16:00:57
2569 系列為例，介紹trr的高速化帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
號(hào)的MOSFET是平面結(jié)構(gòu)，而SJ MOSFET僅僅是結(jié)構(gòu)不同。當(dāng)然，還有雜質(zhì)濃度等細(xì)小差異。SJ MOSFET因結(jié)構(gòu)不同，導(dǎo)通電阻RDS(ON)(ON)與柵極電荷量Qg顯著降低。SJ MOSFET本身其他
2019-04-29 01:41:22
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
瑞薩車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)解決方案 下載：
2015-01-09 17:03:43
在2023年上半年發(fā)布包含新柵極驅(qū)動(dòng)IC的版本。瑞薩電子汽車(chē)模擬應(yīng)用特定業(yè)務(wù)部副總裁大道昭表示：“瑞薩很高興面向車(chē)載應(yīng)用推出具有高隔離電壓和卓越CMTI性能的第二代柵極驅(qū)動(dòng)IC。我們將繼續(xù)推動(dòng)針對(duì)電動(dòng)車(chē)
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結(jié)合了瑞薩廣泛產(chǎn)品的全新“成功產(chǎn)品組合”——其中包括電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電、儀表盤(pán)
2023-03-02 14:29:51
瑞薩電子與3db Access合作推出安全超寬帶解決方案
2021-02-05 07:05:13
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個(gè)世紀(jì)六七十年代，III-V族半導(dǎo)體的發(fā)展開(kāi)辟了光電和微波應(yīng)用，與第一代半導(dǎo)體一起，將人類(lèi)推進(jìn)了信息時(shí)代。八十年代開(kāi)始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，開(kāi)辟了人類(lèi)
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL評(píng)估板是第三代完全集成的3端口開(kāi)關(guān)。 KSZ8873RLL的兩個(gè)PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
UTC-1212SE
第三代無(wú)線通信模塊
產(chǎn)品描述
【產(chǎn)品特點(diǎn):】配我們公司專(zhuān)門(mén)的高增益8.5cm棒狀天線，開(kāi)闊地距離可以達(dá)到700-1000米！
(1) 配置我們
2010-12-02 20:31:50
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫(xiě)，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動(dòng)通信過(guò)渡技術(shù)——EDGE作者：項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM，有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬(wàn)用戶(hù)采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
（PATRO）高解析強(qiáng)光抑制攝像機(jī)、帕特羅（PATRO）遠(yuǎn)距離紅外一體攝像機(jī)、帕特羅（PATRO）紅外防雷攝像機(jī) 正當(dāng)IR-III技術(shù)以新臉孔出現(xiàn)在紅外夜視市場(chǎng)時(shí)，市場(chǎng)上也出現(xiàn)了第三代陣列式紅外攝像機(jī)，造成
2011-02-19 09:35:33
紅外夜視領(lǐng)域領(lǐng)先技術(shù)，在產(chǎn)品性能與應(yīng)用等方面上與激光紅外相比，有明顯的優(yōu)勢(shì)。廣州帕特羅（PATRO）的第三代紅外攝像機(jī)以單顆燈完全取代多顆燈模式，電光轉(zhuǎn)化效能最高可達(dá)85%以上，降低了功耗，使用壽命
2011-02-19 09:38:46
DT298還具備了幾個(gè)很有特色的實(shí)用功能，除了全程語(yǔ)音操控外，停車(chē)監(jiān)控也是它的亮點(diǎn)之一。就是在車(chē)輛停放期間，凌度DT298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀如果感應(yīng)到車(chē)身有震動(dòng)時(shí)，會(huì)自動(dòng)開(kāi)啟攝像頭同時(shí)開(kāi)始錄像，監(jiān)控車(chē)輛情況
2019-01-08 15:44:58
的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOSFET將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)通電阻分別在不同的功能區(qū)域。將阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開(kāi)，解決了阻斷電壓與導(dǎo)通電阻的矛盾，同時(shí)也將阻斷時(shí)的表面
2023-02-27 11:52:38
MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導(dǎo)通電阻特性的系列產(chǎn)品。下面是ROHM第一代標(biāo)準(zhǔn)特性的AN系列、其他公司同等產(chǎn)品及EN系列的噪聲特性比較圖。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導(dǎo)通電阻
2018-12-05 10:00:15
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來(lái)，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
[/url]產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點(diǎn)：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點(diǎn)的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP
2019-04-11 17:15:41
瑞士微型數(shù)字傳感器生產(chǎn)商Sensirion公司推出第三代MEMS流量傳感器，用于對(duì)微流體系統(tǒng)的流量進(jìn)行數(shù)字化測(cè)量?！ ⌒滦蚈EM傳感器通過(guò)使用OEM組件，原有微流體產(chǎn)品范圍得到擴(kuò)大。組件價(jià)格優(yōu)惠
2018-10-26 16:29:10
說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻?！ 〔粌H能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門(mén)極電荷量Qg、結(jié)電容也變小?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
`第一代沒(méi)有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過(guò)：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
`[/url]產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點(diǎn)：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點(diǎn)的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP
2019-04-14 16:11:45
，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能。MOSFET的損耗主要有以下部分組成：MOSFET導(dǎo)通與關(guān)斷過(guò)程中都會(huì)產(chǎn)生
2019-09-25 07:00:00
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點(diǎn)：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點(diǎn)的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP/ADP
2019-04-22 14:07:14
近日，華碩正式發(fā)布EeePCShell貝殼機(jī)，標(biāo)志上網(wǎng)本市場(chǎng)正式進(jìn)入第三代。華碩EeePC全球產(chǎn)品經(jīng)理吳南磬表示，今后的每款EeePC在設(shè)計(jì)之初都將預(yù)留3G模塊的位置，并透露EeePC與傳統(tǒng)筆記本將
2009-07-01 22:40:05
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱(chēng)為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣(mài)，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn) 綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點(diǎn)： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時(shí)
2023-02-28 17:13:35
客戶(hù)采用的是SCS2系列。包括不同的封裝和電流規(guī)格等在內(nèi)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)近50個(gè)機(jī)型的量產(chǎn)供應(yīng)。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的數(shù)字表示各代。－那么接下來(lái)請(qǐng)您介紹一下第三代SiC-SBD
2018-12-03 15:11:25
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
淺析第三代移動(dòng)通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
的根本原因。 ?。?）降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的思路。增加管芯面積雖能降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價(jià)是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流 以上兩種辦法不能降低高壓MOS管的導(dǎo)通電阻，所剩的思路就是
2018-11-01 15:01:12
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動(dòng)通信向
第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
導(dǎo)讀：蘋(píng)果第三代AirPods預(yù)計(jì)會(huì)在今年年底前上市?！ ?月24日，據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈最新消息，蘋(píng)果正在準(zhǔn)備第三代AirPods，預(yù)計(jì)會(huì)在今年年底前上市，而今年3月份蘋(píng)果剛剛發(fā)布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
更高的直流電輸出。2、SiC MOSFET對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開(kāi)關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiC MOSFET導(dǎo)通電 阻、同時(shí)輸入電容大大減小，額定工作結(jié)溫更是達(dá)到200
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹，諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買(mǎi)了這種叫第三代的太陽(yáng)能－砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō)，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
AN系列是以“漏極-源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開(kāi)發(fā)的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
匯佳智能第三代25－29彩色電視機(jī)電路圖，匯佳智能第三代25－29彩電圖紙，匯佳智能第三代25－29原理圖。
2009-05-22 10:11:57
179 文章介紹了第三代LonWorks 技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)和性能。關(guān)鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:458 第三代LonWorks技術(shù)和產(chǎn)品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)
2010-03-18 09:55:0417 Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
第三代移動(dòng)通信常識(shí)
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫(xiě)，指第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)
2009-06-01 21:03:572479 什么是第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)
第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱(chēng)為陸地移動(dòng)系
2009-06-13 22:20:55949 Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC VLIW DSP內(nèi)核
Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC（乘數(shù)累加器）VLIW（超長(zhǎng)指令字）DSP（數(shù)字信號(hào)處理器）
2010-04-24 12:05:451545 采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49899 萊迪思半導(dǎo)體公司日前宣布推出其第三代混合信號(hào)器件，Platform Manager系列。通過(guò)整合可編程模擬電路和邏輯，以支持許
2010-10-18 08:49:24712 據(jù)一向不靠譜的臺(tái)灣媒體DigiTimes報(bào)道，蘋(píng)果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來(lái)自夏普的IGZO顯示屏，這種技術(shù)將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16625 ［中國(guó) – 2016年2月29日］ 全球樹(shù)莓派領(lǐng)先制造商與分銷(xiāo)商e絡(luò)盟日前宣布推出全新第三代樹(shù)莓派B型板。新一代開(kāi)發(fā)板內(nèi)置無(wú)線和藍(lán)牙連接，運(yùn)行速度更快且功能更強(qiáng)大，進(jìn)一步擴(kuò)充了其已擁有世界一流樹(shù)莓派配件生態(tài)系統(tǒng)的產(chǎn)品范圍，其中包括近期推出的樹(shù)莓派觸摸屏顯示器。
2016-03-03 15:04:451952 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)，最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 
繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:553813 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299043 根據(jù)今年3月份曝光的AMD產(chǎn)品線路圖來(lái)看，第三代線程撕裂者有望在今年年內(nèi)發(fā)布，但隨后在6月舉行的臺(tái)北電腦展上，新的AMD線路圖顯示第三代線程撕裂者被移除，加之AMD推出了新的Ryzen 9第三代
2019-09-02 13:08:004963 1月14日消息，vivo宣布將于MWC巴塞羅那2020上舉行新品發(fā)布會(huì)（2月23日-2月24日），正式推出vivo第三代APEX概念機(jī)。
2020-01-14 10:49:121820 呢？為什么說(shuō)第三代半導(dǎo)體有望成為國(guó)產(chǎn)替代希望？ 第三代半導(dǎo)體也被稱(chēng)為寬帶隙半導(dǎo)體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)新基建產(chǎn)業(yè)的重要材料，同時(shí)也是
2020-10-29 18:26:404897 
據(jù)了解，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫(xiě)入十四五規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主
2020-11-04 15:12:374305 招商引資名單中。 問(wèn)題來(lái)了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來(lái)哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問(wèn)題，小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312551 最近，“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 日前，阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)了2021年科技趨勢(shì)，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同？為何這兩年會(huì)成為爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)？第三代半導(dǎo)體之后
2021-01-07 14:19:483427 更加精準(zhǔn)，助力智能產(chǎn)業(yè)升級(jí)。 據(jù)高德介紹，第三代車(chē)載導(dǎo)航是軟硬件結(jié)合的小一袋車(chē)載導(dǎo)航解決方案，依托合作車(chē)企的全棧自研能力，已率先與小鵬汽車(chē)達(dá)成合作。 第三代車(chē)載導(dǎo)航不僅將導(dǎo)航由道路級(jí)升級(jí)為車(chē)道級(jí)，同時(shí)將自動(dòng)駕駛系統(tǒng)感
2021-01-22 18:05:143606 1月22日，數(shù)字地圖、導(dǎo)航和位置服務(wù)提供商高德地圖在北京發(fā)布了第三代車(chē)載導(dǎo)航。
2021-01-24 09:50:574127 在日前的極客公園·創(chuàng)新大會(huì)2021上，小米生態(tài)鏈企業(yè)，華米科技創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼CEO黃汪透露，華米科技自研的第三代可穿戴芯片將很快推出。
2021-02-01 09:45:452190 在日前的極客公園·創(chuàng)新大會(huì)2021上，小米生態(tài)鏈企業(yè)，華米科技創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼CEO黃汪透露，華米科技自研的第三代可穿戴芯片將很快推出。
2021-02-01 11:58:312254 2月20日，移遠(yuǎn)通信正式推出其第三代5G NB-IoT系列模組BC95-CNV和BC28-CNV。這兩款模組基于海思Boudica 200平臺(tái)，在大幅提升集成度、性?xún)r(jià)比、安全性和降低功耗的同時(shí)，新增
2021-02-22 09:22:071225 2021年4月8日，上?！獮懫鹂萍迹瑖?guó)際領(lǐng)先的高性能處理器和全互連芯片設(shè)計(jì)公司，正式對(duì)外發(fā)布其全新第三代津逮CPU，以更好滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算、云服務(wù)、大數(shù)據(jù)、人工智能等應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)綜合
2021-04-12 14:26:292879 第三代半導(dǎo)體Central issue 2020年10月，國(guó)星光電成功舉辦了首屆國(guó)星之光論壇，論壇上國(guó)星光電宣布將緊抓國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇，迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期，國(guó)星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體
2021-04-22 11:47:102719 以2.4-2.6次方增長(zhǎng)，其增長(zhǎng)速度使MOSFET制造者和應(yīng)用者不得不以數(shù)十倍的幅度降低額定電流，以 折中額定電流、導(dǎo)通電阻和成本之間的矛盾。
2022-03-17 09:35:332873 近年來(lái)，國(guó)家和各地方政府陸續(xù)推出相關(guān)政策推動(dòng)第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展：2017年，工信部、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布的《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》將“第三代化合物半導(dǎo)體”列為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)；而科技部也已將第三代
2022-08-02 08:57:381568 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開(kāi)始出貨。
2022-09-01 15:37:53483 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容，以標(biāo)準(zhǔn)AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:01401 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。
2023-02-10 09:41:07611 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開(kāi)關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為
2023-02-20 15:46:150 近年來(lái)，國(guó)家和各地方政府陸續(xù)推出相關(guān)政策推動(dòng)第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展：2017年，工信部、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布的《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》將“第三代化合物半導(dǎo)體”列為 集成電路 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)；而科技部也已將
2023-02-27 15:21:454 相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33568 
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