全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案，進(jìn)而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率晶
2012-11-22 14:04:54
1021 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:533169 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 將超過30％。 ? 根據(jù)進(jìn)行的一項(xiàng)研究，新型材料半導(dǎo)體的特點(diǎn)是尺寸小且功率密度高，Global Market Insights預(yù)計(jì)，到2027年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將超過45億美元
2021-05-21 14:57:182257 ，電源、功率、射頻、運(yùn)放轉(zhuǎn)換芯片甚至是基礎(chǔ)元件都會(huì)涌現(xiàn)大批優(yōu)秀的企業(yè)。2019中國模擬半導(dǎo)體大會(huì)暨飛躍成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)在深圳成功舉辦，本活動(dòng)第一次在產(chǎn)業(yè)內(nèi)針對以峰會(huì)+頒獎(jiǎng)的模式，邀請到企業(yè)上下游、供應(yīng)鏈、投資
2020-07-27 09:43:17
迎來廣泛應(yīng)用；SiC主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢。超越摩爾：光學(xué)、射頻、功率等模擬IC持續(xù)發(fā)展摩爾定律放緩，集成電路發(fā)展分化?，F(xiàn)在集成電路的發(fā)展
2019-05-06 10:04:10
半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。隨著SiC基半導(dǎo)體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場合下的--寬禁帶半導(dǎo)體材料。近年來隨著電力電子技術(shù)在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
[color=rgb(51, 51, 51) !important]基于碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括
2019-07-16 23:57:01
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
研發(fā)投入承諾，才能推動(dòng)一家企業(yè)、特別是半導(dǎo)體企業(yè)不斷研發(fā)創(chuàng)新的產(chǎn)品技術(shù)。創(chuàng)新文化不僅要鼓勵(lì)新的創(chuàng)意，還要準(zhǔn)確地評估其潛在價(jià)值，然后有效地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)意，在公司內(nèi)部建立一套創(chuàng)新發(fā)展機(jī)制，不僅為員工的創(chuàng)造性思維
2011-03-22 17:43:00
點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
在Tech Web的“基礎(chǔ)知識”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是
2018-11-29 14:39:47
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
根據(jù)中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
的多樣性，短波長的半導(dǎo)體激光器的波長十分接近鋁的波長吸收最大值。因此，在汽車工業(yè)中，大功率半導(dǎo)體激光非常適用于鋁材汽車車身的焊接。目前，激光輸出功率為2KW到6KW之間的半導(dǎo)體激光器，在汽車工業(yè)生產(chǎn)過程中
2019-05-13 05:50:35
大家好 我是新人 論壇里 有沒有對半導(dǎo)體工藝熟悉的 工藝上涉及到的設(shè)備有了解的 跪求收我為徒?。。?！
2013-06-28 10:58:29
,新型,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),能源消耗,物質(zhì)資料,新能源,新挑戰(zhàn),礦物燃料【DOI】：CNKI:SUN:DLDI.0.2010-01-008【正文快照】：.新估計(jì)衰明.到2050年我們所搖要的能源可能會(huì)達(dá)到現(xiàn)有
2010-05-04 08:06:22
車規(guī)級GPS模塊有哪些特征？
2021-05-18 06:54:02
、恩智浦、英飛凌、德州儀器、微芯科技、意法半導(dǎo)體等國際大廠，市場占有率合計(jì)超95%，國內(nèi)市場同樣如此，國產(chǎn)化率不足5%。與商規(guī)、工規(guī)相比，車規(guī)級MCU的要求極為嚴(yán)苛，壽命要達(dá)到15年以上，且要支持-40
2023-02-03 12:00:10
`各位今天聊聊車規(guī)級的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規(guī)級別的，但又工業(yè)級別的。從穩(wěn)定性，可靠性方面考慮，應(yīng)該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`
2015-10-15 14:22:18
車規(guī)二級管，有通過AEC-Q101、TS16949、IATF16949希望對所有汽車電子設(shè)計(jì)有幫助，產(chǎn)品特點(diǎn)：1.領(lǐng)先全球薄型封裝片式二級管： 0402/0603/0805/1206/2010
2018-02-09 15:22:44
的兩種SiC功率MOSFET，電流強(qiáng)度為45A，輸出電阻小于100微歐姆。這些元件將采用HiP247新型封裝，該封裝是專為SiC功率元件而設(shè)計(jì)，以提升其散熱性能。SiC的導(dǎo)熱率是矽的三倍。以意法半導(dǎo)體
2019-06-27 04:20:26
GW1NZ系列車規(guī)級FPGA產(chǎn)品封裝與管腳手冊主要包括高云半導(dǎo)體GW1NZ系列FPGA產(chǎn)品（車規(guī)級）的封裝介紹、管腳定義說明、管腳數(shù)目列表、管腳分布示意圖以及封裝尺寸圖。
2022-09-28 11:05:08
GW2A 系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級)數(shù)據(jù)手冊主要包括高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級)特性概述、產(chǎn)品資源信息、內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹、電氣特性、編程接口時(shí)序以及器件訂貨信息，幫助用戶快速了解高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級)特性，有助于器件選型及使用。
2022-09-29 07:47:16
額定擊穿電壓器件中的半導(dǎo)體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市，被公認(rèn)為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設(shè)計(jì)障礙是低水平寄生效應(yīng)，如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07
PCA9685是車規(guī)級的么？我想要一個(gè)車規(guī)級的PWM輸出信號芯片（引腳越多越好）有沒有推薦。TLC5940-EP怎么樣
2021-05-24 09:43:54
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
大家好如題，i.MX RT1170車規(guī)級產(chǎn)品有AEC-Q100認(rèn)證嗎？如果是，能否提供相關(guān)文件？
2023-03-15 08:24:23
有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用及工作頻率（來源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類本文來源：來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
車規(guī)級共模扼流圈
過濾汽車和工業(yè)應(yīng)用中的功率和信號噪聲
Abracon最新的共模扼流圈（CMC）可用于電源線和信號線的應(yīng)用。此外，信號線CMC可以支持can、can-FD和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)傳輸中的噪聲
2023-09-12 14:48:02
` 誰來闡述一下什么是車規(guī)級芯片？`
2019-10-18 10:55:55
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
中國北京（2023年4月12日）—業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，旗下車規(guī)級GD25/55 SPINOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列產(chǎn)品
2023-04-13 15:18:46
，東興證券研究所國內(nèi)廠家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。MDD是國內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累
2022-11-11 11:50:23
，東興證券研究所國內(nèi)廠家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。MDD是國內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累
2022-11-11 11:46:29
GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動(dòng)大功率創(chuàng)新
2023-06-16 11:08:58
電子展暨電源與儲(chǔ)能展現(xiàn)場，看見答案！
?
清純半導(dǎo)體（展位號1E55）是目前國內(nèi)少數(shù)能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達(dá)到國際水平、并且基于國內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET的企業(yè)之一，相關(guān)
2023-08-24 11:49:00
的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。事實(shí)上，比亞迪半導(dǎo)體，目前在國內(nèi)已經(jīng)處于龍頭地位。網(wǎng)絡(luò)公開資料顯示，比亞迪半導(dǎo)體是國內(nèi)最大的IDM車規(guī)級IGBT廠商，旗下車規(guī)級IGBT是新能源汽車電控核心零部件，已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模
2021-05-14 20:17:31
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
，以滿足客戶對于性能、可靠性、安全性及操作簡便等方面不斷變化和發(fā)展中的期望?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的方案已是自動(dòng)駕駛創(chuàng)新的一個(gè)很大的促進(jìn)因素，這是由于汽車動(dòng)力系統(tǒng)功能電子化及先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS），而同時(shí)
2018-10-11 14:33:43
)應(yīng)用，包括但不限于智能農(nóng)業(yè)和車輛生產(chǎn)。高功率USB Type-C超高速集線器安森美半導(dǎo)體最新的USB參考設(shè)計(jì)遠(yuǎn)不止是一個(gè)集線器，它展示了安森美半導(dǎo)體最新的車規(guī)級高能效USB Type-C電源方案，每個(gè)
2018-10-11 14:08:19
中國的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬個(gè)，與現(xiàn)有的接近50萬個(gè)相比，未來2年多內(nèi)將安裝430萬個(gè)，其中將至少有200萬個(gè)是大功率直流充電樁。安森美半導(dǎo)體是嶄露頭角的電動(dòng)汽車
2019-08-06 06:39:15
在昨天的博客《安森美半導(dǎo)體在PCIM展示寬禁帶技術(shù)的最新創(chuàng)新》中，我們談到了圍繞安森美半導(dǎo)體將于本周在歐洲PCIM展示的WBG的所有令人興奮的發(fā)展。除了WBG，該公司還將在9號廳342號展臺展示其
2018-10-30 09:06:50
4月8日上午9:30 在深圳福田會(huì)展中心5F會(huì)議室牡丹廳拉開帷幕。上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司受邀參與本次論壇，并現(xiàn)場進(jìn)行了主題為《高性能MCU發(fā)展趨勢和創(chuàng)新型替代分析》的分享，收獲了眾多好評。作為國際
2023-04-10 18:39:28
?！ ?3.碳化硅與碳化硅（SiC ）功率器件 在用新型半導(dǎo)體材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅 （ SiC ） 功率器件。它的性能指標(biāo)比砷化鎵器件還要高一個(gè)數(shù)量級，碳化硅與其他半導(dǎo)體材料相比，具有
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
公司的 DrMOS 專業(yè)技術(shù)在諸如高性能計(jì)算及通信的同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器之類的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度以及高開關(guān)頻率。透由整合的方式，整個(gè)開關(guān)功率級為驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 動(dòng)態(tài)性能、系統(tǒng)
2013-12-09 10:06:45
解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
功率MOSFET Christopher Rexer，安森美半導(dǎo)體行業(yè)論壇6號展廳248號展位15:30-16:00功率集成模塊的應(yīng)用級測試Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體以上來自于谷歌
2018-10-18 09:14:21
可替代的國產(chǎn)芯片供應(yīng)商，推動(dòng)車規(guī)芯片本土化。我們判斷在中低端車規(guī)芯片領(lǐng)域會(huì)有一到兩年的窗口期，在高端車規(guī)芯片領(lǐng)域有 3-5 年的窗口期。" 他說。如今，摩芯半導(dǎo)體已經(jīng)與國內(nèi)外 Tier1
2023-02-27 11:03:36
功率半導(dǎo)體上市公司披露的財(cái)報(bào)來看，6家前三季度營收同比去年同期都有所增長。 斯達(dá)半導(dǎo)體公司持續(xù)推進(jìn)IGBT 產(chǎn)品在新能源客戶端的滲透率，強(qiáng)化高端品類布局。在新能源汽車業(yè)務(wù)方面，2022H1，其車規(guī)級
2022-11-23 14:40:42
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
求可靠的生產(chǎn)廠家，車規(guī)級器件。求推薦
2017-05-12 10:21:28
半導(dǎo)體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄?shí)際設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面功效卓著，其產(chǎn)品已經(jīng)開始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對品質(zhì)可靠性
2017-07-22 14:12:43
近日，武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布首款基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車規(guī)級MCU，這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型車規(guī)MCU產(chǎn)品
2023-11-30 15:47:01
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
基于Richtek RTQ7880的車規(guī)級充電裝置有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢？
2021-08-06 06:19:11
“通過創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車可以自動(dòng)操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導(dǎo)體汽車及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場總監(jiān)Allen Kwang高度評價(jià)汽車電子的創(chuàng)新意義。而汽車電子創(chuàng)新顯然與動(dòng)力、底盤、安全、車身、信息娛樂系統(tǒng)發(fā)展趨勢息息相關(guān)。
2019-07-24 07:26:11
本人在半導(dǎo)體研究所工作多年，目前自己成立公司，希望能申請半導(dǎo)體技術(shù)論壇的版主！謝謝
2009-12-22 09:14:02
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
在電力電子行業(yè)的發(fā)展過程中，半導(dǎo)體技術(shù)起到了決定性作用。其中，功率半導(dǎo)體器件一直被認(rèn)為是電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分。隨著電力電子技術(shù)在工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費(fèi)等行業(yè)的廣泛應(yīng)用，功率半導(dǎo)體器件直接影響
2021-03-25 14:09:37
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
隨著硅基電力電子器件逐漸接近其物理極限值，新型半導(dǎo)體材料以更大的禁帶寬度、電子飽和漂移速度更快為特點(diǎn)，制造出的半導(dǎo)體器件具有優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征，在光電器件、微波
2017-02-22 14:59:09
?系列為各種處理器提供了出眾的服務(wù)器密度，并且采用了同類產(chǎn)品中效率最高的OptiMOS?集成式功率級半導(dǎo)體?！?將物品變成支付設(shè)備為什么只用信用卡、智能手機(jī)或智能手表才可以進(jìn)行支付？英飛凌的技術(shù)正在推動(dòng)
2023-02-23 14:50:51
請問車規(guī)級芯片到底有哪些要求？
2021-06-18 07:56:37
集成嵌入式功率半導(dǎo)體在電動(dòng)車窗中有何應(yīng)用？
2021-05-14 06:11:55
瓦電力都可以換算為本應(yīng)留在油箱中的一滴汽油，或者是從排氣管中額外排放的一克二氧化碳。如今，油耗和碳排放都面臨著日益提高的稅收。汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商如何幫助客戶實(shí)現(xiàn)更高的能效？在大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)中，我選擇了8m
2019-05-13 14:11:51
“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899 
數(shù)日前，2019年第三代半導(dǎo)體支撐新能源汽車創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇在廣州召開。其中比亞迪股份有限公司第十四事業(yè)部電控工廠廠長楊廣明演講主題為“比亞迪SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用優(yōu)勢和挑戰(zhàn)”。
2019-05-16 15:23:145355 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352 為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)，電裝開始量產(chǎn)搭載了高品質(zhì)SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI”車型就搭載了該產(chǎn)品。 持續(xù)布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263192 比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司受邀參加了該汽車芯片技術(shù)論壇。公司高級研發(fā)經(jīng)理吳海平在本次論壇上做了題為“新能源汽車功率器件的發(fā)展與應(yīng)用”技術(shù)演講，從新能源功率器件的需求情況、車規(guī)級功率半導(dǎo)體的市場布局和技術(shù)發(fā)展著手，多維度探討IGBT芯片、SiC模塊、功率模塊的技術(shù)發(fā)展。
2021-03-30 09:27:552764 SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32140 加快第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)大中小企業(yè)融通發(fā)展。2022年7月27日，由北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司主辦的主題為“SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”，通過線上+線下的方式成功舉辦。本次論壇活動(dòng)由國家
2022-07-29 09:16:30981 
5月30日-31日，以“強(qiáng)芯穩(wěn)鏈 國產(chǎn)化5.0”為主題，CIAS 2023 車規(guī)級功率半導(dǎo)體創(chuàng)新論壇在安徽蕪湖悅圓方酒店成功舉辦。 論壇圍繞車規(guī)級功率芯片產(chǎn)業(yè)變化要素，汽車半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重塑、碳化硅
2023-06-05 19:45:02533 
創(chuàng)新型中小企業(yè)近日，根據(jù)廈門市工業(yè)和信息化局公布的《廈門市工業(yè)和信息化局關(guān)于公布2023年第一批創(chuàng)新型中小企業(yè)名單的通知》，廈門碼靈半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱“碼靈半導(dǎo)體”）獲評“2023年廈門市
2023-04-03 10:03:08401 
塊。 第十五屆汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)（TMC2023）暨第二屆車規(guī)級功率半導(dǎo)體及應(yīng)用技術(shù)論壇 時(shí)間：2023年7月13-14日 地點(diǎn)：青島東方影都會(huì)議中心 ? TMC2023： 電驅(qū)動(dòng)、混動(dòng)、驅(qū)動(dòng)電機(jī)三大專題，商用車和功率半導(dǎo)體兩個(gè)平行論壇。 110+演講、100+展商、預(yù)計(jì)1600+參會(huì)
2023-07-05 13:49:56324 
9月2日，2023大功率半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用前沿高端學(xué)術(shù)論壇在華中科技大學(xué)舉行，富力天晟實(shí)驗(yàn)室參與學(xué)習(xí)交流。 會(huì)議圍繞大功率半導(dǎo)體激光技術(shù)及其應(yīng)用的發(fā)展，研討其在工業(yè)領(lǐng)域中的重要應(yīng)用價(jià)值，剖析半導(dǎo)體
2023-09-04 16:17:13508 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:30587 2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 家 SiC、GaN 企業(yè)代表來共同見證第三代半導(dǎo)體的蓬勃發(fā)展。Nexperia（安世半導(dǎo)體）榮獲權(quán)威認(rèn)證，將「SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」與「中國GaN 功率器件十強(qiáng)」兩項(xiàng)大獎(jiǎng)收入囊中，展現(xiàn)了其作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力與深耕三代半領(lǐng)域的決心。
2023-12-21 11:37:25681
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