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BTS7960是NovalithIC家族三個獨(dú)立的芯片的一部分：一是p型通道的高電位場效應(yīng)晶體管，二是一個n型通道的低電位場效應(yīng)晶體管，結(jié)合一個驅(qū)動晶片，形成一個完全整合的高電流半橋。所有三個芯片是安裝在一個共同的引線框，利用芯片對芯片和芯片芯片技術(shù)。電源開關(guān)應(yīng)用垂直場效應(yīng)管技術(shù)來確保最佳的阻態(tài)。由于p型通道的高電位開關(guān)，需要一個電荷泵消除電磁干擾。通過驅(qū)動集成技術(shù)，邏輯電平輸入、電流取樣診斷、轉(zhuǎn)換速率調(diào)整器，失效發(fā)生時間、防止欠電壓、過電流、短路結(jié)構(gòu)輕易地連接到一個微處理器上。BTS7960可結(jié)合其他的BTS7960形成全橋和三相驅(qū)動結(jié)構(gòu)。
智能功率芯片BTS7960是應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動的大電流半橋高集成芯片，它帶有一個P溝道的高邊MOSFET、一個N溝道的低邊 MOSFET和一個驅(qū)動 Ic，如圖 1所示。集成的驅(qū)動Ic具有邏輯電平輸入、電流診斷、斜率調(diào)節(jié)、死區(qū)時間產(chǎn)生和過溫、過壓、欠壓、過流及短路保護(hù)的功能。BTS7960通態(tài)電阻典型值為 16mQ，驅(qū)動電流可達(dá) 43A。智能功率芯片BTS7960是應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動的大電流半橋高集成芯片，它帶有一個P溝道的高邊MOSFET、一個N溝道的低邊 MOSFET和一個驅(qū)動 Ic，如圖 1所示。集成的驅(qū)動Ic具有邏輯電平輸入、電流診斷、斜率調(diào)節(jié)、死區(qū)時間產(chǎn)生和過溫、過壓、欠壓、過流及短路保護(hù)的功能。
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