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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>IC datasheet pdf>TOSHIBA東芝TPN11003NL N溝道MOSFET產(chǎn)品規(guī)格書

      TOSHIBA東芝TPN11003NL N溝道MOSFET產(chǎn)品規(guī)格書

      2024-09-07 | pdf | 0.23 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      TPH11003NL的設(shè)計聚焦于優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率。以下是其一些重要的技術(shù)參數(shù)

      • 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低：在4.5V的柵極驅(qū)動電壓下，其典型值為12.6 m?，這使得在負(fù)載電流較大時，功耗顯著降低，從而提高了整體系統(tǒng)的效率。
      • 柵極電荷低：其柵極電荷（QSW）典型值為2.0 nC，使得它在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中損耗小，適用于高頻應(yīng)用場景。
      • 高效的熱管理：TPH11003NL的通道至殼體熱阻為5.95 °C/W，通道至環(huán)境熱阻在不同條件下分別為44.6 °C/W和78.1 °C/W，確保了在高功率條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

      適用領(lǐng)域

      TPH11003NL廣泛應(yīng)用于各類需要高效電源轉(zhuǎn)換的設(shè)備中，例如

      • DC-DC轉(zhuǎn)換器：TPH11003NL的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度使得它能夠有效減少轉(zhuǎn)換損耗，提升系統(tǒng)效率。
      • 開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器：其增強(qiáng)型設(shè)計（閾值電壓Vth為1.3到2.3V）確保了MOSFET的開關(guān)動作迅速且穩(wěn)定，從而適應(yīng)復(fù)雜的電壓調(diào)節(jié)需求。

      此外，其低漏電流特性（最大10 μA）和高抗干擾能力使得該器件在高精度應(yīng)用中表現(xiàn)尤為出色。

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