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半導(dǎo)體冷MOSFET新技術(shù)熱增強(qiáng)，wdfn6 2x2 506an包非常小，專門解決電源便攜式設(shè)備的管理挑戰(zhàn)同步降壓和升壓電路，高，低側(cè)負(fù)載鋰離子電池和開關(guān)，?充電電路。本技術(shù)筆記討論雙位wdfn6506an器件封裝的概述，墊模式，評價板布局和熱性能。
概述
wdfn6平臺提供了一個通用性使無論是單或雙半導(dǎo)體器件在無引線封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)。圖1說明了一個雙位wdfn 6半導(dǎo)體器件封裝和?引腳描述。半蝕刻引線框架的補(bǔ)充?模具鎖功能允許這種無鉛封裝提供用于優(yōu)異導(dǎo)熱性的暴露排水墊降低電氣寄生效應(yīng)。這個低調(diào)（《 0.8毫米）緊湊的設(shè)計(jì)是類似于流行的DFN、QFN封裝允許在薄環(huán)境中易于安裝。建議印制電路板安裝標(biāo)準(zhǔn)指南在應(yīng)用筆記and8211 / D概述，“板級應(yīng)用筆記DFN和QFN封裝”。
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