資料介紹
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將大尺寸的靜電放電防護(hù)元件放置在靠近射頻電路之輸入端,可以提供很高的靜電放電耐受程度。但是其寄生的電容負(fù)載卻造成寬頻電路的阻抗無(wú)法良好匹配以及頻寬衰減的問(wèn)題。傳統(tǒng)的等面積分散式四級(jí)的靜電放電防護(hù)可以達(dá)成較好的阻抗匹配,但卻減弱了靜電放電防護(hù)能力。為了同時(shí)擁有很好的靜電放電防護(hù)和射頻電路的電路性能表現(xiàn),本論文提出了兩個(gè)新的分散式靜電放電防護(hù)架構(gòu)。第一個(gè)提出的靜電放電防護(hù)電路是利用面積遞減的方式來(lái)組織分散式靜電放電防護(hù)電路,以提升靜電放電防護(hù)能力。這種電路稱(chēng)為遞減面積分散式靜電放電(DS-DESD)防護(hù)電路。第二個(gè)提出的π型分散式靜電放電(π-DESD)防護(hù)電路是把靜電放電防護(hù)元件分成兩組,一組靠近輸入端銲墊,一組靠近射頻核心電路,中間再用屏蔽式共平面導(dǎo)波管(CPWG)來(lái)連接。這種結(jié)構(gòu)可以同時(shí)提升靜電放電防護(hù)能力和射頻方面的表現(xiàn)。
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