Intelligent Power Switches （I.P.S.）

　　意法半導(dǎo)體提供了一系列的智能功率開關(guān)（IPS）的高側(cè)和低側(cè)配置。智能高邊開關(guān)是單片電源開關(guān)，用于驅(qū)動(dòng)電感、電容或電阻性負(fù)載。這些設(shè)備集成了控制部分（邏輯接口、驅(qū)動(dòng)程序、診斷和保護(hù)功能）和同一芯片上的功率級，在緊湊性、提高系統(tǒng)可靠性和成本效益方面都有好處。

　　診斷微控制器反饋和廣泛使用的電氣保護(hù)功能，使這些設(shè)備天生堅(jiān)不可摧，適用于工業(yè)應(yīng)用中的高可靠性是必需的。它們用于制造過程自動(dòng)化、自動(dòng)售貨機(jī)、電梯、警報(bào)器和PLCs（可編程邏輯控制器）作為燈、閥和繼電器的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。IPS設(shè)備也IEC61131 - 2（可編程邏輯控制器兼容國際標(biāo)準(zhǔn)）。

　　IPS設(shè)備是基于綜合雙極、多碼，和VIPower技術(shù)。VIPower技術(shù)是一個(gè)垂直的技術(shù)，可以達(dá)到非常低的RDS（ON），所以對于一個(gè)小的芯片面積，我們可以整合渠道比有可能與多BCD技術(shù)。垂直技術(shù)的缺點(diǎn)是集成邏輯功能的困難。邏輯功能集成、多BCD技術(shù)是首選技術(shù)。的多BCD工藝集成PMOS晶體管（VIPower技術(shù)只有NMOS晶體管）。雙極技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)是它的高電壓性能。當(dāng)今開發(fā)的設(shè)備是使用上述技術(shù)的最新版本設(shè)計(jì)的，因此在任何應(yīng)用領(lǐng)域都提供了最先進(jìn)的解決方案。

　　In an Intelligent Power Switch， a MOSFET is positioned between the VCC and the OUT pins. This MOSFET is controlled by the input pin （which is connected to the microcontroller）。 These devices have no contacts， so when compared to mechanical relays， there is no wear-out. That， coupled with the diagnostic outputs allows for increased reliability. Intelligent Power Switches can be powered directly from 24 V， but the operating voltage of Intelligent Power Switches， depending on the part， starts at 5.5 V and ranges as high as 55 V. The ambient temperature range， in general， is 40°C up to 125°C， which allows these devices to be used in very harsh environments. They also have fast demagnetization due to a chopping technique， and can detect an open load.