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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>晶體硅太陽能電池的光衰減機制和技術(shù)的改進措施解析

      晶體硅太陽能電池的光衰減機制和技術(shù)的改進措施解析

      2017-11-07 | rar | 0.1 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      　　介紹了近年來對摻硼晶硅 （Cz2Si 和 mc2Si） 太陽電池的光照衰減問題及衰減機制的研究結(jié)果。通過光照及退火處理前后少子壽命變化的研究以及光衰減與硼和氧濃度關(guān)系的研究 ，表明引起摻硼晶硅太陽電池光照衰減的主要因素是硼和間隙氧的存在。同時介紹了減小或避免衰減的技術(shù)措施。

      　　晶硅太陽電池一直占據(jù)著光伏市場的主導地位［ 1 ］ 。2000年光伏工業(yè)和市場中的硅材料占 99. 6 % ，CdTe 占 0. 4 %。其中體晶硅材料 84. 2 % ，帶硅和薄層硅（多晶硅） 6 % ，非晶硅 9. 4 %。為降低光伏組件成本的各種努力中 ，晶硅材料的基礎(chǔ)研究具有重要意義。其中重要 1 例就是近年來對摻硼晶硅 （Cz2Si 和 mc2Si） 太陽電池的光照衰減問題及衰減機制的研究。摻硼 Cz2Si 太陽電池的光衰減問題是由 Fischer 和 Pschunder 在 1973 年發(fā)現(xiàn)的［ 2 ］ 。圖 1 表示 1Ωcm 摻硼 Cz2Si 電池的最大輸出功率 Pm、短路電流 Isc和開路電壓 Voc在光照后的衰減和 200 ℃以上退火處理的恢復(fù)情況?？梢钥闯龉庹帐闺姵匦阅懿粩嗨p ，最后達到飽和值 ;退火處理又使電池性能得到完全恢復(fù)。在相當長一段時間內(nèi) ，Cz （摻硼） 硅電池的這種光衰減和退火恢復(fù)的機制一直沒有解決。

      晶體硅太陽能電池的光衰減機制和技術(shù)的改進措施解析

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