該RPP3180是一個(gè)混合推挽放大器模塊。該器件采用GaAs芯片，工作頻率為45 MHz～1218MHz。它具有優(yōu)良的線性度和優(yōu)異的回波損耗性能，具有低噪聲和最佳可靠性。

　　放大電路亦稱(chēng)為放大器，它是使用最為廣泛的電子電路之一、也是構(gòu)成其他電子電路的基礎(chǔ)單元電路。所謂放大，就是將輸入的微弱信號(hào)（簡(jiǎn)稱(chēng)信號(hào)，指變化的電壓、電流等）放大到所需要的幅度值且與原輸入信號(hào)變化規(guī)律一致的信號(hào)，即進(jìn)行不失真的放大。只有在不失真的情況下放大才有意義。放大電路的本質(zhì)是能量的控制和轉(zhuǎn)換，根據(jù)輸入回路和輸出回路的公共端不同，放大電路有三種基本形式：共射放大電路、共集放大電路和共基放大電路

　　砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料，用來(lái)制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中，兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料，但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導(dǎo)熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料，技術(shù)上要求比較高。