資料介紹
本文前面銜接《淺談12吋晶圓集成電路芯片制程(工藝與工序)前端FEOL之二》
8 )多層金屬互聯(lián)與銅雙大馬士革工藝
8.1 局部互聯(lián)二氧化硅介質(zhì)制作:用LPCVD淀積一層氮化硅作為阻擋層(保護有源區(qū)使之與硼磷硅玻璃淀積層隔離)。
8.2 LPCVD淀積二氧化硅同時輕摻雜硼和磷,形成硼磷硅玻璃。(摻磷防止鈉離子等可動電荷沾污,摻硼是玻璃層在較低溫度具有流動性增加平坦性)之后再淀積不摻雜的二氧化硅。之后RTP使玻璃層更平坦。
化學(xué)機械拋光CMP之后,氧化層保留0.8μm.
工藝過程流到這里陸續(xù)經(jīng)過氧化層生長、淀積多層薄膜、光刻刻蝕等,晶圓表面出現(xiàn)大量高低不平的“地形”,而***的景深有限,形成高分辨率精細線條受到威脅。此外金屬布線在臺階處會變薄甚至斷裂。導(dǎo)致失效或可靠性低。為此晶圓要在圖26之后面進行CMP平坦化加工。接下來光刻確定第一層金屬布線與下層在硅襯底上制作的器件電極(源、柵、漏、接地、電源等)處接觸孔位置(窗口)
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