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      應(yīng)用評(píng)估板評(píng)估IBM43RF0100 SiGe HBT晶體管

      2009-05-12 | rar | 333 | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      應(yīng)用評(píng)估板評(píng)估IBM43RF0100 SiGe HBT晶體管在 1.9GHz CDMA驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用情況;

      The IBM43RF0100 Silicon-Germanium (SiGe) High
      Dynamic Range, Low-Noise Transistor is a discrete
      heterojunction bipolar transistor (HBT) suitable for a
      wide range of RF driver applications including
      spread spectrum transceivers, mobile telephones,
      and portable handsets. The HBT’s high linearity and
      low power consumption make it ideal for wireless
      digital applications such as CDMA and TDMA.
      The IBM43RF0100EV-19 Evaluation Board implements
      a wideband CDMA driver amplifier at 1880
      MHz and provides a convenient means to evaluate
      the HBT’s performance in typical CDMA driver applications.
      Performance characteristics such as gain,
      SWR, P1dB compression point, adjacent channel
      power, and efficiency can be analyzed and evaluated.
      The evaluation board conforms to the performance
      criteria listed in the following table.

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