MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí):2.功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)和工作原理:功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P 溝道和N 溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET 主要是N溝道增強(qiáng)型。
2.1 功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)
功率 MOSFET 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號(hào)如圖1 所示；其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率mos管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS 管是橫向?qū)щ娖骷?，功率MOSFET 大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET 器件的耐壓和耐電流能力。
按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的差異，又分為利用V 型槽實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電的VVMOSFET 和具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS 結(jié)構(gòu)的VDMOSFET
（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS 器件為例進(jìn)行討論。
功率 MOSFET 為多元集成結(jié)構(gòu)，如國(guó)際整流器公司（International Rectifier）的HEXFET 采用了六邊形單元；西門子公司
（Siemens）的SIPMOSFET 采用了正方形單元；摩托羅拉公司（Motorola）的TMOS 采用了矩形單元按“品”字形排列。
2.2 功率MOSFET 的工作原理
截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P 基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1 反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。
導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P 區(qū)中的空穴推
開，而將P 區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P 區(qū)表面
當(dāng)UGS 大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P 區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使P 型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。