近年來(lái)出現(xiàn)的缺陷微帶結(jié)構(gòu)（Defected Microstrip Structure，DMS，過(guò)去曾稱為EBG）憑借阻帶寬、體積小的優(yōu)勢(shì)受到國(guó)內(nèi)外專家學(xué)者的高度關(guān)注，它是直接在微帶線上蝕刻出高電感高電容，因而易于加工實(shí)現(xiàn)。利用其高電感高電容低通帶阻特性設(shè)計(jì)出的低通濾波器可以用于功率放大器、混頻器等微波有源器件的諧波抑制。在L、S波段，國(guó)內(nèi)外專家和學(xué)者對(duì)DMS結(jié)構(gòu)在低介電常數(shù)基板材料上做了大量的研究工作，在更高頻段，高介電常數(shù)基板上的有關(guān)報(bào)道較少。為了實(shí)現(xiàn)將DMS的寬阻帶，小尺寸特性應(yīng)用于高頻段，高介電常數(shù)材料，有必要對(duì)其進(jìn)行做新的探討。

　　DMS結(jié)構(gòu)單元如圖1，微帶介質(zhì)為三層Ferro-A6M生瓷帶材料，每層生瓷帶燒結(jié)后厚度為0.096mm，三層厚0.288mm，該材料相對(duì)介電常數(shù)εr=5.9，損耗角正切tanδ=0.0015。兩端50Ω微帶線寬0.43mm，蝕刻DMS處低阻抗微帶線用于補(bǔ)償DMS高阻抗特性，以實(shí)現(xiàn)濾波器50Ω匹配阻抗，低阻抗補(bǔ)償段選用34Ω微帶線寬0.82mm。利用HFSS（High Frequency Sructrue Simulator）仿真分析，T形單元“一橫”縫隙寬度對(duì)傳輸性能的影響不大，我們變化T形單元“一橫”縫隙的長(zhǎng)度，從仿真分析圖2 得出，DMS T形單元有帶阻低通特性，諧振頻率隨T形“一橫”縫隙長(zhǎng)度增加而減小。諧振頻率隨T形“一豎”長(zhǎng)度增加而減小，如圖3。圖4表明，T形“一豎”寬度增加，諧振頻率增大。

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