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5G宏基站電源設(shè)計(jì)的一些建議詳細(xì)說(shuō)明

2020-11-27 | pdf | 0.26 MB | 次下載 | 3積分

資料介紹

  對(duì) 5G 時(shí)代的電源設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō),新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和新材料是必須要熟悉的,因?yàn)樘蓟琛?a href='http://www.delux-kingway.cn/tags/氮化鎵/' target='_blank' class='arckwlink_none'>氮化鎵等新材料器件出來(lái)的時(shí)間并不長(zhǎng),每個(gè)廠商推出的器件特性都是不一樣的,不像硅器件特性大家都比較熟悉。因此,程文濤建議電源設(shè)計(jì)工程師,盡早熟悉新材料器件、高頻化設(shè)計(jì),開(kāi)拓設(shè)計(jì)思路,以適應(yīng)未來(lái)的電源設(shè)計(jì)工作。對(duì)于宏基站,在一次電源和二次電源的優(yōu)化方面,英飛凌的程文濤給出了一些建議?!霸谝淮坞娫捶矫?,我們看到一個(gè)很明顯的趨勢(shì)是要求高效率和高功率密度。現(xiàn)在電源的效率要達(dá)到 97%,甚至 98%的工作效率?!?要達(dá)到這個(gè)效率目標(biāo),程文濤認(rèn)為一是需要用到新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),他舉例說(shuō),ACDC 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將會(huì)從有橋 PFC,逐漸過(guò)渡到無(wú)橋 PFC,甚至圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);二是必須采用新的材料,包括現(xiàn)在熱門的碳化硅 MOSFET 和氮化鎵 MOSFET;三是高頻化,高頻化可以提高功率密度,減小尺寸;四是貼片封裝更受歡迎,SMD 封裝成為了主流。

  對(duì) 5G 時(shí)代的電源設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō),新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和新材料是必須要熟悉的,因?yàn)樘蓟?、氮化鎵等新材料器件出?lái)的時(shí)間并不長(zhǎng),每個(gè)廠商推出的器件特性都是不一樣的,不像硅器件特性大家都比較熟悉。因此,程文濤建議電源設(shè)計(jì)工程師,盡早熟悉新材料器件、高頻化設(shè)計(jì),開(kāi)拓設(shè)計(jì)思路,以適應(yīng)未來(lái)的電源設(shè)計(jì)工作。對(duì)于宏基站,在一次電源和二次電源的優(yōu)化方面,英飛凌的程文濤給出了一些建議?!霸谝淮坞娫捶矫妫覀兛吹揭粋€(gè)很明顯的趨勢(shì)是要求高效率和高功率密度?,F(xiàn)在電源的效率要達(dá)到 97%,甚至 98%的工作效率。” 要達(dá)到這個(gè)效率目標(biāo),程文濤認(rèn)為一是需要用到新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),他舉例說(shuō),ACDC 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將會(huì)從有橋 PFC,逐漸過(guò)渡到無(wú)橋 PFC,甚至圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);二是必須采用新的材料,包括現(xiàn)在熱門的碳化硅 MOSFET 和氮化鎵 MOSFET;三是高頻化,高頻化可以提高功率密度,減小尺寸;四是貼片封裝更受歡迎,SMD 封裝成為了主流。對(duì)于二次電源部分,新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并不多,更主要的是使用新材料和高頻化器件。

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