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隨著集成電路工藝不斷改進(jìn)，電荷共享效應(yīng)誘發(fā)的單粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)已經(jīng)成為影響芯片可靠性的重要因素為此提出一種有效容忍單粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器：低功耗多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)加固鎖存器（ low power multiple node upsethardened latch. LPMNUHL）。該鎖存器基于單點(diǎn)翻轉(zhuǎn)自恢復(fù)的雙聯(lián)互鎖存儲(chǔ)單元（ dual interlocked storage cell.DICE構(gòu)建三模冗余容錯(cuò)機(jī)制，輸岀端級(jí)聯(lián)¨三中取二”表決器?？梢杂行У厝萑虇瘟Ｗ佣帱c(diǎn)翻轉(zhuǎn)，表決輸岀正確邏輯值。不會(huì)出現(xiàn)高阻態(tài)，可以有效地屏蔽電路內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的軟錯(cuò)誤。該鎖存器能夠100%容忍三點(diǎn)翻轉(zhuǎn)，四點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的容忍率高達(dá)90.30%.通過運(yùn)用高速傳輸路徑、時(shí)鐘選通技術(shù)和鐘控表決器，該鎖存器有效地降低了功耗.32nm工藝下 SPICE仿真表明，與加固性能最好的三點(diǎn)翻轉(zhuǎn)加固鎖存器綜合比較， LPMNUHL的延遲平均降低了40.16%，功耗平均降低了44.96%，功耗延遲積平均降低了65.40%，面積平均降低了34.60%、并且對(duì)電壓/溫度波動(dòng)不敏感。
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