資料介紹
采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計,圖1a所示的功率級開關(guān)節(jié)點(diǎn)波形真的引人矚目。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下,從0V升到480V,并具有小于50V的過沖。?
圖1:TI 600V半橋功率級——開關(guān)波形(a);設(shè)備封裝(b);半橋板圖(c)。
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GaN FET具有低端子電容,因而可快速切換。然而,當(dāng)GaN半橋在高di / dt條件下切換時,功率環(huán)電感在高壓總線和開關(guān)節(jié)點(diǎn)處引入振鈴/過沖。這限制了GaN FET的快速切換功能。
由于引線長且封裝為大尺寸,傳統(tǒng)的功率封裝通常具有來自引線和接合線的高電感。在含鉛封裝中已觀察到高達(dá)幾百伏的過沖。減少過沖的關(guān)鍵是最小化功率環(huán)電感。
為了降低引線電感,TI以表面貼裝四方扁平無引線(QFN)封裝提供單通道GaN功率級產(chǎn)品。如圖1b所示…
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