資料介紹
背景:隨著Si器件越來(lái)越逼近Si材料性能極限,20世紀(jì)90年代第三代半導(dǎo)體材料SiC由于其優(yōu)異的電學(xué)性能,開始被科 研工作者關(guān)注并開始相關(guān)研究
1、Eg : 較大禁帶寬度意味著較低的本征漏電流和較高工作溫度
2、Ecrit : 較大臨界擊穿電場(chǎng)意味著漂移區(qū)更多的電子數(shù)( ND=?r*?0*Ecrit/ wdrift )和相同尺寸具有更高的耐壓
3、?n : 電子遷移率和導(dǎo)通電阻具有以下關(guān)系:RDS(on)=wdrift/(q*?n*ND ) 4、λ : 較高的熱導(dǎo)率意味著更高的功率密度
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