資料介紹
摘 要:通過對(duì)鐘控神經(jīng)MOS 管特性和冗余抑制技術(shù)的研究,提出了一種新型多值雙邊沿D 觸發(fā)器的設(shè)計(jì)方案.該方案利用鐘控神經(jīng)MOS 管多輸入柵加權(quán)信號(hào)控制、浮柵上的電容耦合效應(yīng)及具有對(duì)浮柵進(jìn)行初始化并將數(shù)據(jù)保存在浮柵上等特性,實(shí)現(xiàn)D 觸發(fā)器的多值輸出. 與傳統(tǒng)觸發(fā)器相比較,此多值觸發(fā)器不但減少時(shí)鐘冗余信號(hào),降低電路功耗,提高電路效率,而且無需改變電路的結(jié)構(gòu)就可實(shí)現(xiàn)不同基的多值D 觸發(fā)器. 最后,采用0. 25 μmCMOS 工藝,利用PSPICE 模擬驗(yàn)證了所設(shè)計(jì)的電路具有正確的邏輯功能,并與相同功能多值D 觸發(fā)器比較,多值雙邊沿D 觸發(fā)器具有明顯的低功耗特性.
關(guān) 鍵 詞:鐘控神經(jīng)MOS 管; 雙邊沿D 觸發(fā)器; 多值觸發(fā)器; 冗余抑制
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