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為了設(shè)計(jì)一款300 V IGBT,從理論分析了IGBT各工藝參數(shù)與器件主要性能之間的關(guān)系.并利用Tsuprem4和Medici軟件,重點(diǎn)研究了器件工藝參數(shù)對(duì)器件擊穿電 壓、閾值電壓的影響,同時(shí)分析了IGBT器件的開(kāi)關(guān)特性及其影響因素,最終得到了兼容CMOS工藝的300 V IGBT的最佳結(jié)構(gòu)、工藝參數(shù).通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬得知,該器件的關(guān)態(tài)和開(kāi)態(tài)的擊穿電壓都達(dá)到了要求,閾值電壓為2 V,而且兼容目前國(guó)內(nèi)的CMOS工藝,可以很好地應(yīng)用于各種高壓功率集成電路.
為了設(shè)計(jì)一款300 V IGBT,從理論分析了IGBT各工藝參數(shù)與器件主要性能之間的關(guān)系.并利用Tsuprem4和Medici軟件,重點(diǎn)研究了器件工藝參數(shù)對(duì)器件擊穿電 壓、閾值電壓的影響,同時(shí)分析了IGBT器件的開(kāi)關(guān)特性及其影響因素,最終得到了兼容CMOS工藝的300 V IGBT的最佳結(jié)構(gòu)、工藝參數(shù).通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬得知,該器件的關(guān)態(tài)和開(kāi)態(tài)的擊穿電壓都達(dá)到了要求,閾值電壓為2 V,而且兼容目前國(guó)內(nèi)的CMOS工藝,可以很好地應(yīng)用于各種高壓功率集成電路.
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