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      標簽　>　體二極管

      體二極管

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      體二極管技術(shù)

      MOS管的體二極管來源與作用

      MOS管的體二極管來源與作用

      下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管，其被稱為體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。

      2023-01-11 標簽：二極管MOS管NMOS 3.3萬 0

      兩個MOS管串聯(lián)接法的應(yīng)用

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      本文是關(guān)于兩個MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。

      2023-07-19 標簽：串聯(lián)接口usb 3.2萬 1

      MOS管內(nèi)的體二極管簡析

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      2022-08-12 標簽：MOS管體二極管高電平 1.4萬 0

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      如下電路圖所示，此種應(yīng)用，由PMOS來進行電壓的選擇，當VIO9V電壓存在時，此時電壓全部由VIO9V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT4.2V不提供電壓給...

      2023-03-16 標簽：電源電路圖PMOS 1.3萬 0

      MOS管參數(shù)解讀

      MOS管參數(shù)解讀

      極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。

      2023-09-24 標簽：元器件MOS管柵極 1.3萬 0

      主要介紹MOSFET電性能相關(guān)的參數(shù)

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      BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。

      2023-05-29 標簽：MOSFET電壓源VDS 1.2萬 1

      結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)分指南

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      JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半...

      2024-05-08 標簽：場效應(yīng)管JFET并聯(lián)電容 1.1萬 0

      淺析幾種常見的PFC拓撲

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      有橋boostPFC電路是最基本的電路，就不敘述了。

      2023-03-20 標簽：Boost開關(guān)管PFC電路 1.1萬 0

      2000字詳解MOS管的體二極管

      上周討論了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系？，這個屬于比較細節(jié)的問題，在面試中基本不會遇到，但是今天討論的這個問題還是很有可能碰到的。

      2023-01-10 標簽：二極管MOS管NMOS 1.0萬 0

      N溝道型和P溝道型MOSFET的導(dǎo)通條件

      N溝道型和P溝道型MOSFET的導(dǎo)通條件

      從事于電子電路設(shè)計的朋友們應(yīng)該都知道，MOSFET是十分常見的一種電子元器件。

      2023-02-21 標簽：MOSFETN溝道電子電路 9592 0

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      我們開設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反...

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      晶體二極管

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      Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...

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      納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...

      2024-04-17 標簽：MOSFETSiC體二極管 791 0

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