擊穿電壓

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擊穿電壓技術(shù)

被保護(hù)電路的正常工作電壓高于TVS二極管的擊穿電壓會(huì)損壞TVS嗎？答案出乎意料

在電路正常工作情況下，TVS二極管應(yīng)該處于截止?fàn)顟B(tài)，即TVS的額定反向關(guān)斷電壓VRM應(yīng)大于被保護(hù)電路的最高工作電壓，但是我們有時(shí)候會(huì)發(fā)現(xiàn)在一些電路中TV...

2024-12-16 標(biāo)簽：保護(hù)電路 TVS TVS二極管 1331 0

TVS二極管可以并聯(lián)使用嗎

TVS二極管的主要作用是保護(hù)電子設(shè)備免受瞬時(shí)過電壓或浪涌電壓的損害。這些瞬時(shí)過電壓通常由電氣干擾、雷擊、電氣開關(guān)操作等因素引起。TVS二極管通過其優(yōu)異的...

2024-12-05 標(biāo)簽：二極管 TVS 擊穿電壓 468 0

TVS二極管該如何正確的選用

TVS二極管是一種用于保護(hù)敏感電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊（如雷擊、靜電放電等）損壞的器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，TVS二極管的正確選用是確保電路可靠性和穩(wěn)定性...

2024-08-29 標(biāo)簽：二極管 TVS 擊穿電壓 602 0

二極管擊穿電壓是最大值還是有效值

二極管擊穿電壓是指二極管在反向偏置下，電流突然增大，導(dǎo)致二極管損壞的電壓值。最大值（Peak Value）：最大值是指在一個(gè)周期內(nèi)，電壓或電流的最大瞬...

2024-08-08 標(biāo)簽：二極管電流半導(dǎo)體材料 1178 0

氣體放電管怎樣選型

一、GDT參數(shù)選擇步驟關(guān)于GDT的選型上海雷卯EMC小哥引用“AC220V線路進(jìn)行2kV線間和4kV線對(duì)地的過電壓防護(hù)”案例來闡述GDT的選型。1.續(xù)流...

2024-08-02 標(biāo)簽：擊穿電壓氣體放電管 gdt 541 0

影響絕緣擊穿電壓的因素有哪些

絕緣擊穿電壓是衡量絕緣材料或系統(tǒng)在多高電壓下會(huì)發(fā)生破壞性放電的一個(gè)重要指標(biāo)。影響絕緣擊穿電壓的因素眾多，包括材料特性、環(huán)境條件、設(shè)計(jì)參數(shù)等。以下詳細(xì)分析...

2024-06-09 標(biāo)簽：電容器擊穿電壓電場(chǎng) 2571 0

電容器擊穿的特征是什么

電容器擊穿是指電容器的介質(zhì)層失去絕緣能力，導(dǎo)致電流突然大幅增加的現(xiàn)象。了解電容器擊穿的特征有助于正確使用電容器，并在設(shè)計(jì)電路時(shí)采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施。以下是...

2024-06-09 標(biāo)簽：電容器電子元件擊穿電壓 2467 0

電容器擊穿分為哪幾類

電容器是電子電路中至關(guān)重要的組件之一，它儲(chǔ)存和釋放電能，用于平滑電流、濾波、耦合信號(hào)、定時(shí)等功能。然而，電容器在運(yùn)行過程中可能會(huì)遇到擊穿現(xiàn)象，即其絕緣材...

2024-06-09 標(biāo)簽：電容器電子設(shè)備擊穿電壓 1851 0

PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿的原因是什么？

PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿是一種特殊的物理現(xiàn)象，它在特定的條件下發(fā)生，允許電流在低于雪崩擊穿電壓的情況下流過PN結(jié)。

2024-05-29 標(biāo)簽：PN結(jié)擊穿電壓載流子 1349 0

CP，F(xiàn)T，WAT都是與芯片的測(cè)試有關(guān)，他們有什么區(qū)別呢？如何區(qū)分？

CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測(cè)試的成本。

2024-05-09 標(biāo)簽：晶圓芯片封裝擊穿電壓 3071 0

擊穿電壓帖子

電容器擊穿電壓是多少一般有什么限制?

標(biāo)簽：電容器擊穿電壓 352 1

請(qǐng)教擊穿電壓與line to shape spacing的關(guān)系？

標(biāo)簽：電路板擊穿電壓 3656 11

有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式有哪些難點(diǎn)？

標(biāo)簽：MOSFET 擊穿電壓 12158 6

擊穿電壓資料下載

LDMOS器件參數(shù)測(cè)試詳解立即下載

類別：電子資料 2021-06-07 標(biāo)簽：漏極 LDMOS 擊穿電壓 1221 0

LM4040精密微功耗并聯(lián)型電壓基準(zhǔn),帶有多種反向擊穿電壓立即下載

類別：IC datasheet pdf 2012-01-31 標(biāo)簽：電壓基準(zhǔn)擊穿電壓 LM4040 2456 0

擊穿電壓資訊

單光子雪崩探測(cè)器SPAD助力激光掃描顯微鏡發(fā)展

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，單光子雪崩探測(cè)器（SPAD）是指工作電壓高于擊穿電壓的APD，也稱為蓋革模式APD，通過配套淬滅電路和讀出電路對(duì)雪崩倍增過程進(jìn)行淬滅和...

2024-05-27 標(biāo)簽：探測(cè)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)擊穿電壓 1257 0

合科泰推出一款經(jīng)典且常用的TO-220封裝高壓MOS管4N60

高壓MOS管通常需要較大的柵極電壓，以使MOS管可以承受高電壓和高電流。

2024-04-26 標(biāo)簽：led照明開關(guān)電源 MOS管 1654 0

華太推出首款高功率高耐壓射頻功放器件—HTH8G02P1K4H(B)

在當(dāng)今社會(huì)，射頻（RF）技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用已經(jīng)深入到我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷?，尤其是在工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）領(lǐng)域中，射頻器件的應(yīng)用促進(jìn)了這些領(lǐng)域技術(shù)的飛速發(fā)展。

2024-04-10 標(biāo)簽：UHF 擊穿電壓電壓駐波比 1175 0

雪崩擊穿的概念如何區(qū)別齊納擊穿和雪崩擊穿雪崩擊穿是可逆的嗎？

雪崩擊穿的概念如何區(qū)別齊納擊穿和雪崩擊穿雪崩擊穿是可逆的嗎？雪崩擊穿是電氣工程領(lǐng)域中的一個(gè)重要概念，它是指當(dāng)高壓電力系統(tǒng)中的絕緣體遭受較高電壓的沖...

2024-03-26 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)雪崩擊穿擊穿電壓 3217 0

TVS二極管長時(shí)間加載Vbr電壓會(huì)不會(huì)燒毀？

TVS二極管長時(shí)間加載Vbr電壓會(huì)不會(huì)燒毀？當(dāng)一個(gè)TVS二極管長時(shí)間加載其Vbr（反向擊穿電壓）時(shí)，不會(huì)導(dǎo)致燒毀。事實(shí)上，這正是TVS二極管的設(shè)計(jì)目的...

2024-02-05 標(biāo)簽：TVS二極管擊穿電壓 VBR 3262 0

垂直GaN技術(shù)新突破新變局

目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。

2024-01-25 標(biāo)簽：led照明半導(dǎo)體氮化鎵 1243 0

為什么二極管在線測(cè)量時(shí)，反向有電壓？

為什么二極管在線測(cè)量時(shí)，反向有電壓？二極管是一種電子器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。在正常工作狀態(tài)下，二極管具有正向?qū)щ娦裕簿褪侵杆荒茏岆娏鲝恼颍?..

2024-01-15 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體擊穿電壓 3396 0

半導(dǎo)體放電管的選型技巧

半導(dǎo)體放電管的選型技巧半導(dǎo)體放電管是一種用于電子設(shè)備中的重要元件。在選型時(shí)，需要考慮一系列的因素，包括電壓、電流、功率、封裝、溫度特性等。一、電壓特...

2024-01-03 標(biāo)簽：擊穿電壓浪涌電流半導(dǎo)體放電管 617 0

瞬態(tài)抑制二極管導(dǎo)電特性及選用方法分析

瞬態(tài)抑制二極管導(dǎo)電特性及選用方法分析? 瞬態(tài)抑制二極管是一種用于電路保護(hù)的二極管，它具有快速響應(yīng)和高度可靠的抑制瞬態(tài)電壓的能力。在本文中，我們將探討瞬態(tài)...

2024-01-03 標(biāo)簽：二極管擊穿電壓瞬態(tài)抑制二極管 603 0

碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析

碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導(dǎo)體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管...

2023-12-21 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體擊穿電壓 2968 0

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是德科技公司(NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司,通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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