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標(biāo)簽 > 制程
制程專指:事物運(yùn)作程序的處理過(guò)程。常指計(jì)算機(jī)芯片框架的運(yùn)算速度量。通常我們所說(shuō)的CPU的“制作工藝”,是指在生產(chǎn)CPU過(guò)程中,集成電路的精細(xì)度,也就是說(shuō)精度越高,生產(chǎn)工藝越先進(jìn)。在同樣的材料中可以制造更多的電子元件,連接線也越細(xì),精細(xì)度就越高,CPU的功耗也就越小。
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半導(dǎo)體新建項(xiàng)目潔凈室工藝設(shè)備泊蘇防微振平臺(tái)施工流程
半導(dǎo)體新建項(xiàng)目潔凈室工藝設(shè)備泊蘇防微振平臺(tái)施工流程1.引言近年來(lái)高科技產(chǎn)業(yè)在國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)發(fā)展上有著舉足輕重的作用,半導(dǎo)體晶片、TFT-LCD平面顯示等大型的...
[m外被料質(zhì)量,d為皮厚(適用于空管及半充實(shí))],一般電線電纜標(biāo)準(zhǔn)會(huì)規(guī)定外被最小平均厚度(Min Average Thickness)和任意點(diǎn)最小厚度(...
長(zhǎng)電科技解讀芯片成品制造的“四個(gè)協(xié)同”
集成電路產(chǎn)業(yè)沿著摩爾定律走到今天,持續(xù)推進(jìn)的硅工藝節(jié)點(diǎn)難以為繼,伴隨著5G通信、汽車(chē)電子、人工智能、高性能計(jì)算等新興領(lǐng)域?qū)呻娐樊a(chǎn)品與技術(shù)需求的增長(zhǎng),...
盤(pán)點(diǎn)5個(gè)顯卡術(shù)語(yǔ)
1管線 : Pipelines 管線是描述顯卡架構(gòu)的名詞,以更準(zhǔn)確地衡量GPU實(shí)際運(yùn)算能力。管線并不是一般熟悉的工程專有名詞,在GPU上有不同的管...
2018-02-06 標(biāo)簽:制程 4102 0
BGA、TAB、零件、封裝及Bonding制程 1、Active parts(Devices) 主動(dòng)零件指半導(dǎo)體類之各種主動(dòng)性集成電路器或晶體管,相對(duì)...
2010-01-11 標(biāo)簽:制程 4310 0
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2011-04-12 標(biāo)簽:FPCPCB設(shè)計(jì)制程 1623 0
目前市場(chǎng)上普遍采用的面射型雷射元件主流技術(shù)為選擇性氧化法,絕大多數(shù)面射型雷射操作特性紀(jì)錄均是由選擇性氧化局限技術(shù)所達(dá)成,例如低操作電壓[14]、低臨界電...
引言 曾經(jīng)遇到一位資深PCB制造行業(yè)前輩,該前輩認(rèn)為PCB板廠不要?jiǎng)硬粍?dòng)就談“我們制程能力Process Capability怎么怎么厲害”,而是“更要...
臺(tái)積電先進(jìn)封裝大擴(kuò)產(chǎn),CoWoS制程成擴(kuò)充主力
近日,臺(tái)積電宣布了其先進(jìn)封裝技術(shù)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,其中CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)制程將成為此次擴(kuò)產(chǎn)的主力軍。隨著對(duì)群創(chuàng)...
臺(tái)積電位于美國(guó)鳳凰城的TSMC Arizona第一晶圓廠,近期正緊鑼密鼓地準(zhǔn)備其第一階段(P1 1A)廠區(qū)的4nm制程投片量產(chǎn)。據(jù)悉,該廠區(qū)有望在202...
據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman),在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門(mén)的發(fā)展策...
臺(tái)積電2nm制程近況佳,N3X、N2P以及A16節(jié)點(diǎn)已在規(guī)劃中
臺(tái)積電聯(lián)合首席運(yùn)營(yíng)官?gòu)垥詮?qiáng)進(jìn)一步指出,2nm制程的研發(fā)正處于“非常順利”的狀態(tài):納米片的“轉(zhuǎn)換效果”已達(dá)預(yù)定目標(biāo)中的90%,良率亦超過(guò)80%。臺(tái)積電預(yù)計(jì)...
臺(tái)積電: 特殊制程產(chǎn)能將擴(kuò)大50%
5月17日訊,據(jù)Anandtech透露,臺(tái)積電于近期舉辦的2024年歐洲技術(shù)論壇上宣布,未來(lái)將特殊制程產(chǎn)能擴(kuò)增50%,旨在提高其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的靈活應(yīng)對(duì)能力。
臺(tái)積電延緩中科二期用地1.4nm廠建設(shè),因2nm需求強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)
對(duì)于此事,臺(tái)積電回應(yīng)稱,將繼續(xù)配合相關(guān)部門(mén)處理廠房用地問(wèn)題。值得注意的是,臺(tái)積電曾在北美技術(shù)論壇上強(qiáng)調(diào),2nm需求強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);而最新的A16...
弘宇二代大容量NOR Flash進(jìn)入流片,助推智能化設(shè)
據(jù)供應(yīng)鏈透露,中天弘宇的新產(chǎn)品將采用28nm制程,單個(gè)顆粒的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)容量將達(dá)至2GB以上,相較之下,業(yè)界現(xiàn)行最高水平只有512MB。這標(biāo)志著該公司是否能...
Rapidus擬2025年啟動(dòng)2nm制程于美新設(shè)子公司
Rapidus Design Solution 初步設(shè)立的管理職位為亨利·理查德(Henri Richard)擔(dān)任總經(jīng)理兼總裁。理查德曾在 2002~2...
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