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標(biāo)簽 > 功率開關(guān)
功率開關(guān),它在通過絕緣氣體充滿的殼體中具有至少一個(gè)沿著縱軸線延伸的且基本徑向?qū)ΨQ安裝的、包括至少兩個(gè)功率觸點(diǎn)和一個(gè)配屬于功率觸點(diǎn)的電弧室的滅弧室,其中所述電弧室與至少一個(gè)具有排氣容積的排氣裝置處于功能連接,該排氣裝置用于冷卻在斷開時(shí)產(chǎn)生的熱氣,并且排氣裝置與滅弧室容積連接。
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電荷泵是一種電荷轉(zhuǎn)移的方式進(jìn)行工作的電路,在本文所研究的這款芯片中,電荷通過對(duì)功率管的柵電 容進(jìn)行周期性的充電,將柵電壓逐漸提高到功率管的開 啟電壓以上...
2020-03-15 標(biāo)簽:功率開關(guān)電源電壓電荷泵 1.0萬 0
如何驅(qū)動(dòng) MOSFET?MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電路原理解析
MOSFET 功率開關(guān)是開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里最重要的元件,如果它被集成進(jìn) IC 里,這種器件便可以被稱作轉(zhuǎn)換器;如果它被外置,能夠驅(qū)動(dòng)它的器件便可以被稱...
功率半導(dǎo)體的知識(shí)總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件)
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 標(biāo)簽:電力電子器件功率轉(zhuǎn)換功率開關(guān) 8665 0
意法半導(dǎo)體推出最新高溫硅功率開關(guān)用于提高摩托車和工業(yè)設(shè)備的可靠性
新品登場(chǎng)
2017-09-20 標(biāo)簽:功率開關(guān)意法半導(dǎo)體 7413 0
這里介紹的手摸式自動(dòng)出水龍頭,與普通水龍頭比較,具有使用方便、靈敏、衛(wèi)生、可靠的優(yōu)點(diǎn),缺點(diǎn)是水量大小不能控制。由于該開關(guān)是完全密封的,因此在北方的冬季可...
2019-02-07 標(biāo)簽:功率開關(guān)電磁閥觸摸 7360 0
AC/DC轉(zhuǎn)換器的效率和開關(guān)波形評(píng)估
效率的評(píng)估結(jié)果曲線圖中,給出了三種輸入電壓的效率和輸出功率、各輸入引腳的效率和輸出電流。
2020-04-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率開關(guān)波形 5833 0
什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
GaN近期為何這么火?如果再有人這么問你,你可以這樣回答:因?yàn)槲覀冸x不開電源。
2023-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 5432 0
SiC/GaN功率開關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案
驅(qū)動(dòng) SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計(jì)一個(gè)完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整,彼此配合。于是這里的設(shè)計(jì)重點(diǎn)不再只是以開關(guān)為中心……
2018-06-22 標(biāo)簽:功率開關(guān)SiCGaN 5349 0
采用東芝DTMOSIV超級(jí)結(jié)MOSFET來解決這些問題
功率開關(guān)應(yīng)用電路的基本元件主要有MOSFET和快速恢復(fù)二極管。MOSFET和恢復(fù)二極管對(duì)于采用全橋或零電壓開關(guān)/相移拓?fù)涞碾娦藕头?wù)器電源、全橋電機(jī)控制...
2018-04-08 標(biāo)簽:MOSFET東芝功率開關(guān) 5025 0
理想二極管的應(yīng)用實(shí)例及主要規(guī)格
本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器...
功率開關(guān)芯片SM7525功率兼容應(yīng)用設(shè)計(jì)方案
高性能的原邊反饋控制功率開關(guān)芯片SM7525 是應(yīng)用于離線式小功率 AC/DC 開關(guān)電源高性能的原邊反饋控制功率開關(guān)芯片,在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒...
2018-12-21 標(biāo)簽:功率開關(guān) 4917 0
GaN功率開關(guān)、組件及對(duì)EMI產(chǎn)生造成怎樣的影響
為了評(píng)估這些GaN組件,Sandler安排我來測(cè)試一些評(píng)估板。一塊我選擇測(cè)試的是Efficient Power Conversion的半橋(Half-...
2018-10-07 標(biāo)簽:emi功率開關(guān)gan 4373 0
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請(qǐng)參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測(cè),或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng) 4142 0
GaN和SiC器件將成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 標(biāo)簽:功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器 4029 0
功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機(jī)控制器的心臟。電機(jī)控制器、電機(jī)和減速器一起組 成電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)總成。
2023-06-09 標(biāo)簽:電力電子器件功率開關(guān)電機(jī)控制器 3930 0
中、低頻大功率晶體管:中、低頻大功率晶體管一般用在電視機(jī)、音響等家電中作為電源調(diào)整管、開關(guān)管、場(chǎng)輸出管、行輸出管、功率輸出管或用在汽車電子點(diǎn)火電路、逆變...
2024-03-31 標(biāo)簽:集成電路功率開關(guān)晶體管 3499 0
五大開關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
開關(guān)電源的EMI干擾源集中體現(xiàn)在功率開關(guān)管、整流二極管、高頻變壓器等,外部環(huán)境對(duì)開關(guān)電源的干擾主要來自電網(wǎng)的抖動(dòng)、雷擊、外界輻射等。
2017-07-18 標(biāo)簽:開關(guān)電源EMI功率開關(guān) 3451 1
MAX15066高效、4A、降壓型DC-DC調(diào)節(jié)器,內(nèi)置功率開關(guān)
MAX15066電流模式、同步整流、降壓型DC-DC調(diào)節(jié)器能夠以極高的效率提供高達(dá)4A輸出電流。MAX15066工作在4.5V至16V輸入電壓,可調(diào)輸出...
2013-05-16 標(biāo)簽:功率開關(guān)DC-DC調(diào)節(jié)器MAX15066 2574 0
IGBT作為一種功率開關(guān),從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。
2023-02-07 標(biāo)簽:電壓功率開關(guān)IGBT 2161 0
探討功率開關(guān)各部位傳導(dǎo)損耗計(jì)算方法
在實(shí)際的計(jì)算中重要的是:導(dǎo)通電阻的值根據(jù)Io值中的導(dǎo)通電阻來計(jì)算。一般情況下在MOSFET的技術(shù)規(guī)格書中會(huì)給出導(dǎo)通電阻RDS(ON)和IDS的曲線圖,可...
2020-04-05 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率開關(guān) 2109 0
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