安世半導(dǎo)體動態(tài)

• Nexperia發(fā)布新一代固定方向電壓電平轉(zhuǎn)換器

  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日發(fā)布了新一代固定方向電壓電平轉(zhuǎn)換器系列，適用于多種常

  2025-01-24 標(biāo)簽： 轉(zhuǎn)換器 電壓電平 安世半導(dǎo)體 226 0

• 與安世半導(dǎo)體共同迎接工業(yè)4.0時代到來

  隨著物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的發(fā)展和工業(yè)4.0時代的到來，工業(yè)轉(zhuǎn)型正朝著提高能效、實現(xiàn)功率微型化和改善系統(tǒng)可靠性的方向發(fā)展。面對

  2025-01-23 標(biāo)簽： MOSFET 物聯(lián)網(wǎng) 安世半導(dǎo)體 217 0

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  安世半導(dǎo)體助力構(gòu)成光儲充一體化系統(tǒng)解決方案

  在中國，新能源電動汽車市場已經(jīng)進入了高速發(fā)展期。根據(jù)公安部數(shù)據(jù)顯示，截至2024年6月底，我國新能源汽車保有量已達(dá)247

  2025-01-14 標(biāo)簽： 光伏 IC芯片 充電樁 481 0

• Nexperia發(fā)布BJT雙極性晶體管應(yīng)用手冊

  經(jīng)典的雙極性晶體管(BJT- Bipolar Junction Transistor)的物理原理已有大約100年的歷史，

  2025-01-10 標(biāo)簽： 晶體管 BJT 安世半導(dǎo)體 280 0

• 安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會精彩回顧

  為滿足越來越多的對穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先進的載流子儲存溝

  2025-01-06 標(biāo)簽： 封裝 IGBT 安世半導(dǎo)體 260 0

• 安世半導(dǎo)體理想二極管與負(fù)載開關(guān)網(wǎng)絡(luò)研討會回顧

  理想二極管與負(fù)載開關(guān)的電氣性能出色，能為智能電表、安防系統(tǒng)、電池供電的可穿戴設(shè)備和汽車遠(yuǎn)程信息處理等安全關(guān)鍵應(yīng)用帶來諸多

  2024-12-26 標(biāo)簽： 負(fù)載開關(guān) 理想二極管 安世半導(dǎo)體 252 0

• 安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎

  在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上，行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳，共同探討行業(yè)趨勢，深化交流合作

  2024-12-17 標(biāo)簽： 場效應(yīng)管 FET GaN 451 0

• 安世半導(dǎo)體推出微型無引腳邏輯IC

  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日發(fā)布了一系列采用微型車規(guī)級MicroPak XSON

  2024-12-17 標(biāo)簽： 封裝 邏輯IC 安世半導(dǎo)體 244 0

• 安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET

  2024-12-12 標(biāo)簽： MOSFET 功率MOSFET Nexperia 657 0

• 安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會前瞻

  IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來越多的對穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求，Nexperia

  2024-12-09 標(biāo)簽： IGBT 功率半導(dǎo)體 Nexperia 324 0

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