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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。
硅是由石英砂所精練出來(lái)的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料,經(jīng)過(guò)照相制版,研磨,拋光,切片等程序,將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。
硅是由石英砂所精練出來(lái)的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料,經(jīng)過(guò)照相制版,研磨,拋光,切片等程序,將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
一種新型RDL PoP扇出晶圓級(jí)封裝工藝芯片到晶圓鍵合技術(shù)
扇出型晶圓級(jí)中介層封裝( FOWLP)以及封裝堆疊(Package-on-Package, PoP)設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢(shì),例如低功耗、短信號(hào)路徑...
測(cè)量探頭的 “溫漂” 問(wèn)題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對(duì)于氮化鎵襯底厚度測(cè)量的影響
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中,氮化鎵(GaN)襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料,正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而,氮化鎵襯底...
特氟龍夾具的晶圓夾持方式,相比真空吸附方式,對(duì)測(cè)量晶圓 BOW 的影響
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材,其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW(彎曲度)的精確測(cè)量。而在測(cè)量過(guò)程中,特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真...
測(cè)量探頭的 “溫漂” 問(wèn)題,對(duì)于氮化鎵襯底厚度測(cè)量的實(shí)際影響
在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里,氮化鎵(GaN)襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石,正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而,氮化鎵襯底厚度測(cè)...
測(cè)量探頭的 “溫漂” 問(wèn)題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對(duì)于碳化硅襯底厚度測(cè)量的影響
在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域,碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,其厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性如同精密機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)的核心齒輪,容不得絲毫差錯(cuò)。然而,測(cè)量...
從晶圓到芯片:劃片機(jī)在 IC 領(lǐng)域的應(yīng)用
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,IC芯片的生產(chǎn)是一個(gè)極其復(fù)雜且精密的過(guò)程,劃片機(jī)作為其中關(guān)鍵的一環(huán),發(fā)揮著不可或缺的作用。從工藝流程來(lái)看,在芯片制造的后端工序中,劃片...
測(cè)量探頭的 “溫漂” 問(wèn)題,對(duì)于碳化硅襯底厚度測(cè)量的實(shí)際影響
在半導(dǎo)體制造的微觀世界里,碳化硅襯底作為新一代芯片的關(guān)鍵基石,其厚度測(cè)量的精準(zhǔn)性如同精密建筑的根基,不容有絲毫偏差。然而,測(cè)量探頭的 “溫漂” 問(wèn)題卻如...
不同的碳化硅襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WA...
NanoStar?晶圓級(jí)和SOT-23中的低噪聲、高PSRR、RF、200 mA低壓降線性穩(wěn)壓器TPS793數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-02 標(biāo)簽:晶圓線性穩(wěn)壓器低噪聲
半導(dǎo)體設(shè)備零部件國(guó)產(chǎn)化加速,開(kāi)啟千億新藍(lán)海立即下載
類別:電子資料 2023-11-28 標(biāo)簽:晶圓零部件半導(dǎo)體設(shè)備
WD4000無(wú)圖晶圓檢測(cè)機(jī):助力半導(dǎo)體行業(yè)高效生產(chǎn)的利器立即下載
類別:電子資料 2023-10-26 標(biāo)簽:晶圓表面檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓
AI需求助力DISCO營(yíng)收大幅增長(zhǎng)
日本晶圓切割機(jī)大廠DISCO近日發(fā)布了其本財(cái)年度前三季的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)報(bào)告。報(bào)告顯示,受到AI相關(guān)需求的強(qiáng)勁推動(dòng)以及日?qǐng)A匯率走貶的影響,DISCO的營(yíng)收和盈利...
地震未致臺(tái)積電和聯(lián)電的臺(tái)南晶圓廠重大損害
1月21日,臺(tái)灣嘉義發(fā)生6.4級(jí)地震,業(yè)界擔(dān)心影響鄰近的臺(tái)南晶圓廠。據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,臺(tái)積電和聯(lián)電的臺(tái)南廠已疏散人員并停機(jī)檢查,未...
上海瞻芯電子科技股份有限公司近日宣布,其C輪融資首批資金已順利完成近十億元規(guī)模的交割。本輪融資由國(guó)開(kāi)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)基金領(lǐng)投,中金資本及老股東金石投資、芯...
格羅方德在馬耳他晶圓廠擴(kuò)建封裝測(cè)試設(shè)施
GlobalFoundries(格羅方德)近日宣布了一項(xiàng)重大計(jì)劃,將在其位于紐約馬耳他的晶圓廠內(nèi)建造一個(gè)先進(jìn)的封裝和測(cè)試設(shè)施。此舉旨在實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)品在美...
臺(tái)積電美國(guó)Fab 21晶圓廠2024年Q4量產(chǎn)4nm芯片
近日,據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電已確認(rèn)其位于美國(guó)亞利桑那州的Fab 21晶圓廠將在2024年第四季度正式進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段,主要生產(chǎn)4nm工藝(N4P)芯片。 ...
SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲(chǔ)器以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑
近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過(guò)于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。為應(yīng)對(duì)這一不利局面,各大存儲(chǔ)器廠商紛紛...
英偉達(dá)回應(yīng)美新規(guī):在華業(yè)務(wù)不受影響
近日,英偉達(dá)公司針對(duì)美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)發(fā)布的對(duì)華晶圓代工限制新規(guī),向美國(guó)證監(jiān)會(huì)提交了正式回應(yīng)。英偉達(dá)在回應(yīng)中明確表示,預(yù)計(jì)此次新規(guī)的實(shí)施不...
荷蘭政府加強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備出口管制,確保技術(shù)安全!
近日,荷蘭政府宣布,從2025年4月1日起,將對(duì)出口先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)施更加嚴(yán)格的管制措施。這一決定引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注,尤其是全球半導(dǎo)體行業(yè)的重要企業(yè)和...
2025-01-17 標(biāo)簽:晶圓ASML半導(dǎo)體設(shè)備 220 0
不同的氮化鎵襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中,氮化鎵(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能,在眾多高端芯片制造領(lǐng)域,尤其是光電器件、功率器件等...
氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響
在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中,氮化鎵(GaN)襯底正憑借其優(yōu)異的性能,如高電子遷移率、寬禁帶等特性,在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場(chǎng)景中嶄露頭角,成為推動(dòng)行...
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