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      標(biāo)簽　>　柵極

      柵極

      +關(guān)注1人關(guān)注

      柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

      文章：132個 視頻：29個 瀏覽：21031次 帖子：6個

      柵極技術(shù)

      FinFET制造工藝的具體步驟

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      本文介紹了FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）制造過程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

      2025-01-20 標(biāo)簽：晶圓晶體管柵極 837 0

      用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇

      用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇

      作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，尤其是那些部署在偏遠(yuǎn)地區(qū)并由電池...

      2025-01-25 標(biāo)簽：MOSFET定時器柵極 134 0

      既然MOSFET柵-源阻抗非常大，為什么設(shè)計驅(qū)動MOS電路的柵極電流還要大？1200字說清楚

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      三極管是流控型器件，通過電流控制三極管的工作區(qū)，而MOSFET與之相對是壓控型器件，柵-源阻抗非常大，我們一般認(rèn)為MOSFET柵-源工作電流可以忽略，那...

      2025-01-02 標(biāo)簽：三極管電流MOSFET 1126 0

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      MOSFET柵極與源極之間加一個電阻?這個電阻有什么作用?

      2024-12-26 標(biāo)簽：MOSFETMOS管柵極 1637 0

      MOS管的閾值電壓是什么

      MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個至關(guān)重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)，對MOS...

      2024-10-29 標(biāo)簽：MOS管柵極閾值電壓 2118 0

      VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

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      如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開啟，電流在溝道內(nèi)...

      2024-10-08 標(biāo)簽：二極管VDMOS柵極 991 0

      五極管的簾柵極相當(dāng)于陽極還是陰極

      五極管的簾柵極既不等同于陽極，也不等同于陰極，它是五極管特有的一個電極，具有獨特的功能和作用。 五極管主要由屏極、抑制柵極、控制柵極、簾柵極和陰極五個電...

      2024-09-24 標(biāo)簽：穩(wěn)壓電源五極管電極 400 0

      電子管柵極電流和燈絲電壓的關(guān)系

      電子管是一種早期的電子器件，它利用熱發(fā)射電子來控制電流的流動。電子管主要由陰極、柵極、屏極和板極組成。在電子管中，柵極電流和燈絲電壓是兩個重要的參數(shù)，它...

      2024-09-24 標(biāo)簽：電流電壓柵極 1122 0

      結(jié)型場效應(yīng)晶體管的工作原理和特性

      結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其工作原理和特...

      2024-10-07 標(biāo)簽：JFET柵極場效應(yīng)晶體管 1023 0

      柵極和源極之間的穩(wěn)壓二極管的作用

      在電子學(xué)中，穩(wěn)壓二極管是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它能夠?qū)㈦妷悍€(wěn)定在一個特定的水平。這種器件通常用于電源管理、信號處理和保護(hù)電路中。在討論穩(wěn)壓二極管的作用時...

      2024-09-18 標(biāo)簽：穩(wěn)壓二極管柵極源極 873 0

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      柵極資訊

      FinFet Process Flow—啞柵極的形成

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      本文主要介紹FinFet Process Flow—啞柵極的形成。 ? 鰭片（Fin）的形成及其重要性 鰭片是FinFET器件三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵組成部分，它...

      2025-01-14 標(biāo)簽：柵極FinFET 94 0

      High-k柵極堆疊技術(shù)的介紹

      ? High-k柵極堆疊技術(shù)，作為半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)一項廣泛采納的前沿科技，對于現(xiàn)代集成電路制造業(yè)具有舉足輕重的地位。 在過去，半導(dǎo)體晶體管普遍采用二氧化硅（...

      2024-12-28 標(biāo)簽：晶體管柵極絕緣層 354 0

      一種名為MARORA的等離子體選擇氧化裝置

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      ??? 隨著半導(dǎo)體器件的精細(xì)化，晶體管柵極的尺寸逐漸縮小或微小結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜。蝕刻過程中，蝕刻損傷會在加工表面產(chǎn)生，因此需要進(jìn)行“損傷修復(fù)”。?? 隨著...

      2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體柵極 300 0

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      近日，瞻芯電子傳來喜訊，其自主研發(fā)的2款極緊湊封裝的柵極驅(qū)動芯片IVCR2404MP已成功通過可靠性認(rèn)證，并正式投入量產(chǎn)。這兩款高性能產(chǎn)品，標(biāo)志著瞻芯電...

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      SA2601是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動芯片，專為高壓、高速驅(qū)動N型功率MOSFET和IGBT設(shè)計，可在高達(dá)600V電壓下工作。內(nèi)置VCC和VB...

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      功率MOS管燒毀，我們幫你總結(jié)出了這些原因

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      今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因，文字比較多點，不容易讀，希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導(dǎo)體...

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      【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要

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      2023-12-13 標(biāo)簽：MOSFET柵極 427 0

      橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時

      橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時

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      2023-12-05 標(biāo)簽：柵極源極功率開關(guān)器件 479 0

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      柵極數(shù)據(jù)手冊

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        提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢，中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
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