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      標簽　>　柵極驅(qū)動

      柵極驅(qū)動

      +關注8人關注

      什么是柵極驅(qū)動，說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動，柵極用PWM方波驅(qū)動，但是會形成RLC振蕩電路，原因是電容是寄生的，電感受布線影響較大，但是也屬于寄生電感的范疇，這樣輸入會形成LC振蕩，導致MOSFET各種打開關閉，很容易燒毀MOSFET。

      文章：66個 瀏覽：23209次 帖子：8個

      柵極驅(qū)動技術

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      2024-07-25 標簽：IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動 1222 0

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      2024-04-09 標簽：MOSFET晶體管寄生電容 478 0

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      2024-02-29 標簽：MOSFETGaN柵極驅(qū)動 986 0

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      適用SiC逆變器的各要素技術(SiCpower module,柵極驅(qū)動回路,電容器等)最優(yōu)設計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)

      2024-01-26 標簽：電容器逆變器SiC 538 0

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      2023-11-24 標簽：IGBT柵極驅(qū)動 796 0

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      2023-08-25 標簽：保護電路IGBTIPM 1306 0

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      柵極驅(qū)動芯片可根據(jù)功能分為多種類型，如單路、雙路、多路等。因此，在選型時需要根據(jù)具體應用情況進行選擇。

      2023-07-14 標簽：MOSFETSiC柵極驅(qū)動 5203 0

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      在本文中，我們將重點介紹實時可變柵極驅(qū)動強度的技術優(yōu)勢，這項新功能可讓設計人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動汽車行駛里程）和 SiC過沖（影響可靠性）。

      2023-07-04 標簽：SiC柵極驅(qū)動牽引逆變器 767 0

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      2023-06-25 標簽：MOSFET電阻器柵極驅(qū)動 834 0

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      前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設計，雖然今天聊的可能有些重復，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當回顧和加重記憶吧。

      2023-04-06 標簽：IGBT柵極驅(qū)動設計 2832 0

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      2023-03-03 標簽：mcuCortex-M0柵極驅(qū)動 979 0

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