氮化鎵知識

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  測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于氮化鎵襯底厚度測量的影響

  在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)

  2025-01-22 標(biāo)簽： 晶圓 氮化鎵 測量 98 0

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  不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

  在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造

  2025-01-17 標(biāo)簽： 晶圓 氮化鎵 測量 128 0

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  氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

  在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸

  2025-01-16 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶圓 氮化鎵 93 0

• 氮化鎵電源芯片和同步整流芯片介紹

  氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過程中，氮化

  2025-01-15 標(biāo)簽： 開關(guān)電源 氮化鎵 電源芯片 143 0

• 日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓

  1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 2

  2025-01-09 標(biāo)簽： 晶圓 晶體管 氮化鎵 429 0

• 氮化鎵芯片U872XAHS系列的主要特性

  帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐

  2025-01-06 標(biāo)簽： 芯片 電流 氮化鎵 179 0

• 英諾賽科登陸港交所，氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場

  近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且

  2025-01-06 標(biāo)簽： 電壓 氮化鎵 功率半導(dǎo)體 298 0

• 英諾賽科香港上市，國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股誕生

  近日，國內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標(biāo)志著

  2025-01-02 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 數(shù)據(jù)中心 氮化鎵 219 0

• 45W氮化鎵電源IC U8722EE的簡單介紹

  氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高，同時(shí)，氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對

  2025-01-02 標(biāo)簽： 芯片 氮化鎵 電源IC 145 0

• 25W氮化鎵電源芯片U8722BAS的主要特征

  在消費(fèi)類快充電源市場中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)

  2024-12-24 標(biāo)簽： 功率開關(guān) 氮化鎵 電源芯片 358 0

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