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標簽 > 電力晶體管
電力晶體管按英文Giant Transistor——GTR,是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有時也稱為Power BJT;但其驅動電路復雜,驅動功率大;GTR和普通雙極結型晶體管的工作原理是一樣的。
電力晶體管(Giant Transistor)簡稱GTR又稱BJT(Bipolar Junction Transistor),GTR和BJT這兩個名稱是等效的,結構和工作原理都和小功率晶體管非常相似。GTR由三層半導體、兩個PN結組成。和小功率三極管一樣,有PNP和NPN兩種類型,GTR通常多用NPN結構。在電力電子技術中,GTR主要工作在開關狀態(tài)。GTR通常工作在正偏(Ib》0)時大電流導通;反偏(Ib《0=時處于截止狀態(tài)。因此,給GTR的基極施加幅度足夠大的脈沖驅動信號,它將工作于導通和截止的開關狀態(tài)。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳...
由于電力晶體管既具備晶體管飽和壓降低、開關時間短和安全工作區(qū)寬等固有特性,又增大了功率容量; 因此由它所組成的電路靈活、成熟、開關損耗小、開關時間短,在...
電力晶體管器件屬于功率半導體類別,如高壓二極管、瞬變二極管、二極管整流橋、MOSFET、IGBT等,多年來市場需求、產(chǎn)品價格穩(wěn)健。雖然會受到行業(yè)周期、中...
在電力電子技術中,GTR主要工作在開關狀態(tài)。GTR通常工作在正偏(Ib》0)時大電流導通;反偏(Ib《0=時處于截止狀態(tài)。因此,給GTR的基極施加幅度足...
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