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標(biāo)簽 > 直流母線電壓
直流母線電壓就是將交流變成直流,在變頻器中是用銅排的母線形式安裝的電壓。
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路過流保護(hù)的分類及其檢測(cè)方法
IGBT的過流保護(hù)電路可分為兩類:一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過載保護(hù);另一類是高倍數(shù)(可達(dá)8-10倍)的短路保護(hù)。
2024-03-01 標(biāo)簽:過流保護(hù)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 2.1萬 0
如何正確理解IGBT模塊規(guī)格書中的主要參數(shù)?
當(dāng)我們?cè)谶x擇一款I(lǐng)GBT模塊做功率回路設(shè)計(jì)時(shí),首先都會(huì)問到兩個(gè)最基本的參數(shù),這個(gè)模塊是多少伏、多少安培的?
IGBT應(yīng)用于“T”字型三電平逆變器的工作原理詳解
T型三電平拓?fù)涞拈_關(guān)狀態(tài):圖1為T字型-三電平電路單相拓?fù)?,拓?fù)渲泄灿?個(gè)IGBT,4個(gè)二極管,還有電容組C1和C2; 假設(shè)正負(fù)母線電壓均等,都是Vdc。
找到變頻器內(nèi)部直流電源的P(+)端和N(-)端,將萬用表調(diào)到二極管檔黑表筆搭在變頻器P(+),紅表筆分別依次測(cè)量R、S、T三相數(shù)字相同且基本平衡,說明變...
小電流接地系統(tǒng)——中性點(diǎn)不接地或經(jīng)消弧線圈接地。大電流接地系統(tǒng)——中性點(diǎn)直接接地的系統(tǒng)。
2023-02-14 標(biāo)簽:互感器電流系統(tǒng)電流接地系統(tǒng) 4504 0
“T”型NPC的效率怎么會(huì)比“I”型NPC的效率高呢?
網(wǎng)上查找三電平相關(guān)的資料,特別是兩種三電平結(jié)構(gòu)的差異,經(jīng)常能看到這樣的一個(gè)結(jié)論。那就是,當(dāng)開關(guān)頻率小于16kHz的時(shí)候,“T”型NPC的效率比“I”型N...
波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦,買CPU先問主頻多少Hz?后來買手機(jī)也是,先看幾個(gè)核,再看主頻...所以估計(jì)大家都也差不多,都烙下病根兒了。 可...
兩相逆變器在光伏并網(wǎng)系統(tǒng)中調(diào)整電壓是一個(gè)復(fù)雜的過程,涉及到逆變器的控制策略、電力電子技術(shù)以及電網(wǎng)的交互。
2024-04-18 標(biāo)簽:逆變器電網(wǎng)電壓光伏并網(wǎng)系統(tǒng) 3453 0
在選用西門子伺服電機(jī)時(shí),為了能夠滿足實(shí)際工況的需要,需要考慮所選電機(jī)的扭矩轉(zhuǎn)速特性曲線、電壓極限特性曲線。本文為大家進(jìn)行相關(guān)內(nèi)容的介紹。
ETAP無功補(bǔ)償(3)電容器切換的自動(dòng)控制案例
在ETAP中可以設(shè)置電容器組的自動(dòng)切換,高壓和低壓的自動(dòng)控制方式不同。根據(jù)系統(tǒng)運(yùn)行情況,安裝電容器組來調(diào)節(jié)電壓或進(jìn)行無功補(bǔ)償?shù)囊?,因此選擇配合的控制模式。
2023-11-01 標(biāo)簽:電容器電動(dòng)機(jī)無功補(bǔ)償 2762 0
ETAP無功補(bǔ)償(4)如何在ETAP中進(jìn)行最佳電容器位置分析
一般來說,電力系統(tǒng)中安裝電容器組是為了電壓支持、校正功率因數(shù)、無功功率控制、降低損耗、增加系統(tǒng)容量和降低計(jì)費(fèi)費(fèi)用。
2023-11-01 標(biāo)簽:電容器電力系統(tǒng)OCP 2384 0
開關(guān)電源設(shè)計(jì)中啟動(dòng)電源串聯(lián)三極管的作用是什么?
開關(guān)電源芯片的兩路供電電壓,一路是啟動(dòng)電阻提供的啟動(dòng)電壓,一路是變壓器輔助電源產(chǎn)生的輔助電壓
直流系統(tǒng)是不接地系統(tǒng),在直流系統(tǒng)中,直流正、負(fù)極對(duì)地是絕緣的,在發(fā)生一極接地時(shí)由于沒有構(gòu)成接地電流的通路而不引起任何危害
隔離電流檢測(cè)放大器在PFC升壓系統(tǒng)中有何應(yīng)用?
PFC( Power Factor Correction)被稱為“功率因數(shù)校正”,被定義為有效功率和總耗電量(視在功率)的比值。
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動(dòng)器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi68515,專為驅(qū)動(dòng)高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計(jì)
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1582 0
為什么運(yùn)行中的補(bǔ)償電容器容易出現(xiàn)暫時(shí)過電壓呢?
只有熟悉無功補(bǔ)償電容器運(yùn)行中可能遇到的問題,才能更好地應(yīng)對(duì)電容器運(yùn)行中的各種情況。
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