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硅芯片

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硅芯片技術(shù)

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專用集成電路設(shè)計(jì)流程包括 專用集成電路的特點(diǎn)包括

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氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片,它們在性能、應(yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和...

2024-01-10 標(biāo)簽:功率放大器氮化鎵硅芯片 2293 0

關(guān)于DRAM市場趨勢的“虛假謊言

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在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配,可以說晶體管的小型化已經(jīng)...

2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFETDRAM存儲器 555 0

低成本的溶膠-凝膠法制備高性能Ca-IZO薄膜的新方法

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目前,基于薄膜晶體管(TFT)的固態(tài)電路廣泛應(yīng)用于顯示器、大型傳感器和電子皮膚等領(lǐng)域,這些領(lǐng)域難以通過傳統(tǒng)的基于硅的芯片實(shí)現(xiàn)。

2023-11-06 標(biāo)簽:傳感器TFT薄膜晶體管 790 0

一文解析微系統(tǒng)封裝原理與技術(shù)

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如何對系統(tǒng)和組件進(jìn)行可靠的封裝是微系統(tǒng)工業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn),因?yàn)槲⑾到y(tǒng)的封裝技術(shù)遠(yuǎn)沒有微電子封裝技術(shù)成熟。微系統(tǒng)封裝在廣義上講有三個(gè)主要的任務(wù):裝配、封裝...

2023-11-06 標(biāo)簽:mems壓力傳感器微電子封裝 1144 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)?又是怎樣制造出來的呢?

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硅,我們都知道。但是芯片制程中的硅,有的用的是單晶硅,有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大,那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)?有哪些應(yīng)用?又是怎樣制造...

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基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

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無論是在太空還是在地面,這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。

2023-09-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動晶體管GaN 2109 0

淺析先進(jìn)封裝的四大核心技術(shù)

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先進(jìn)封裝技術(shù)以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發(fā)展重點(diǎn)。先進(jìn)封裝核心技術(shù)包括Bumping凸點(diǎn)、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等,依托這些技術(shù)的...

2023-09-28 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)SiP技術(shù) 3524 0

Sandia Labs發(fā)明一種硅上集成微光學(xué)器件的方法

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砷化鎵(GaAs)芯片和硅(Si)芯片的區(qū)別

砷化鎵芯片的制造工藝相對復(fù)雜,需要使用分子束外延(MBE)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等專門的生長技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單,可以使...

2023-07-03 標(biāo)簽:集成電路光電器件砷化鎵 8215 0

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

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在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。

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IGBT模塊壽命評估實(shí)驗(yàn)依據(jù)

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隨著高速動車組列車、電動汽車及其充電樁、5G 通信設(shè)備、交直流混合配電網(wǎng)、柔性直流輸電、新能源發(fā)電裝置等這些新興科技的迅猛發(fā)展

2023-06-08 標(biāo)簽:電動汽車IGBTDBC 1915 0

如何確認(rèn)硅晶材料與硅晶片的檢測純度?

晶圓,是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片,是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料。

2023-05-23 標(biāo)簽:晶圓硅芯片 1490 0

系統(tǒng)級封裝(SIP)簡介

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系統(tǒng)級封裝 (SiP) 是一種用于將多個(gè)集成電路 (IC) 和無源元件捆綁到一個(gè)封裝中的方法,它們在該封裝下協(xié)同工作。這與片上系統(tǒng) (SoC) 形成對比...

2023-05-19 標(biāo)簽:CMOS封裝soc 4653 0

氮化鎵的用途是什么

氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體, 氮化鎵主要還是用于LED(發(fā)光二極管),微...

2023-02-06 標(biāo)簽:led發(fā)光二極管氮化鎵 5721 0

分享一種艾邁斯歐司朗濾光片解決方案

在摩爾定律持續(xù)放緩、新型計(jì)算平臺卻要求更高性能的大背景下,電子IC發(fā)展進(jìn)入瓶頸期,光子IC (PIC)逐漸興起。

2022-11-08 標(biāo)簽:濾光片OSRAM硅芯片 932 0

固態(tài)電氣架構(gòu)的整體優(yōu)勢

 固態(tài)架構(gòu)創(chuàng)新的數(shù)字化特性為擴(kuò)展功能、增加價(jià)值以及集成和擴(kuò)展現(xiàn)有智能建筑系統(tǒng)創(chuàng)造了可能性,例如住宅和商業(yè)安全、商業(yè)消防、門禁和樓宇自動化。

2021-06-28 標(biāo)簽:M2M硅芯片嵌入式算法 2074 0

精準(zhǔn)的硅芯片溫度檢測——顯示測量精度為±0.1°C

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熱電偶提供了一種低成本、中等精度的高溫測量方案。正如Thomas Seebeck在1821年發(fā)現(xiàn)的那樣,它們基于兩個(gè)結(jié)點(diǎn)之間產(chǎn)生的電壓,每個(gè)結(jié)點(diǎn)都由不同...

2020-12-21 標(biāo)簽:熱電偶溫度傳感器硅芯片 2488 0

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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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