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標(biāo)簽 > 納米器件
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氫空位簇對(duì)鍺烷電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控以及鍺烷中分子摻雜的影響
2013年, Bianco等通過CaGe2拓?fù)浠瘜W(xué)剝離的方法,首次在實(shí)驗(yàn)上合成了具有較高熱穩(wěn)定性和抗氧化性的單層鍺烷。
Nanoskim是基于Slater-Koster緊束縛勢(shì)場(chǎng)的量子輸運(yùn)仿真軟件,可以從原子層級(jí)來構(gòu)建納米器件。
2023-03-14 標(biāo)簽:納米器件 1052 0
具有高居里溫度和強(qiáng)磁晶各向異性的雙極性VSi?As?和VGe?As?單層的預(yù)測(cè)
浙江工業(yè)大學(xué)王垚老師課題組(第一作者:張金森)采用密度泛函理論和鴻之微Device Studio軟件預(yù)測(cè)出雙極性VSi2As4和VGe2As4單層具有高...
大規(guī)模集成電路的散熱大致上可以分為兩個(gè)(或者三個(gè))步驟,如圖1(a)所示。第一步是單個(gè)晶體管產(chǎn)生的熱量被傳導(dǎo)通過封裝外殼。
利用表面聲子極化激元增強(qiáng)光生偶極力,實(shí)現(xiàn)納米紅外成像
中紅外波段的紅外光生偶極力通常比紅外光熱膨脹力弱1~2個(gè)數(shù)量級(jí),難以在實(shí)驗(yàn)中測(cè)量。
什么是FIB?FIB有哪些應(yīng)用?如何修改線路做FIB?FIB怎么做失效分析?
什么是FIB?FIB有哪些應(yīng)用?如何修改線路做FIB?FIB怎么做失效分析?FIB還能生長(zhǎng)PAD?FIB案例有些? FIB是Focused Ion Be...
10.8.2 納米能源器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
NanoEnergyDevices審稿人:北京大學(xué)張海霞王瑋審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.8集成微系統(tǒng)技術(shù)...
2022-05-19 標(biāo)簽:納米器件 430 0
Device Studio應(yīng)用實(shí)例之Nanoskim應(yīng)用實(shí)例
如生成純硅器件結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)備文件,分別選中 Hamiltonian、Bandstructure 設(shè)置參數(shù)分別如圖8.5-3(a)、8.5-3(b)所示,設(shè)置...
Device Studio結(jié)構(gòu)建模5.7-5.8內(nèi)容
上一期的教程給大家介紹了Device Studio支持的文件類型及結(jié)構(gòu)建模5.4-5.6的內(nèi)容,本期繼續(xù)介紹Device Studio結(jié)構(gòu)建模5.7-5...
泰晶科技“微納米器件科技創(chuàng)新戰(zhàn)略團(tuán)隊(duì)”入選雙創(chuàng)戰(zhàn)略團(tuán)隊(duì)
全球通訊頻控器件領(lǐng)導(dǎo)者 歷經(jīng)數(shù)月資格審查,集中評(píng)審,路演答辯,專家組實(shí)地考察,5月6號(hào)湖北省科技廳公示2020年度“雙創(chuàng)戰(zhàn)略團(tuán)隊(duì)”入選名單,全省60個(gè)團(tuán)...
淺談最新DNA機(jī)器人設(shè)計(jì)技術(shù)詳細(xì)內(nèi)容
只用短短數(shù)分鐘而不是數(shù)天時(shí)間就能完成“DNA機(jī)器人”設(shè)計(jì),現(xiàn)在科學(xué)家在這一領(lǐng)域邁出了巨大一步。
2020-08-27 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體材料納米器件 5740 0
對(duì)外延BiFeO3薄膜中不同類型疇壁的動(dòng)力學(xué)特征進(jìn)行了觀測(cè)和統(tǒng)計(jì)學(xué)分析
南京大學(xué)呂笑梅教授課題組和美國(guó)羅格斯大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、美國(guó)華盛頓大學(xué)等多個(gè)單位合作,利用基于原子力顯微鏡的三維電疇表征方法,對(duì)外延Bi...
EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍器件,并且新設(shè)備在運(yùn)行速度上也比當(dāng)前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
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