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標(biāo)簽 > 雷射
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由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn),要制作全磊晶結(jié)構(gòu)的長波長面射型雷射難度較高,因此在1990年中期開始許多光通訊大廠及研究機構(gòu)均投入大量資...
為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點,在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士學(xué)位的D.L. Huffaker 首次發(fā)表利用選擇性...
為了應(yīng)用在光纖通訊上有效提升訊號傳輸距離,對于發(fā)光波長1310nm?與1550nm的面射型雷射需求也相當(dāng)迫切,傳統(tǒng)半導(dǎo)體雷射二極體在長波長紅外光雷射大多...
制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進行蝕刻,以便暴露出側(cè)向蝕刻表面(etched sidewall)提供增益波導(dǎo)或折射率波導(dǎo)效...
從前面一小節(jié)對半導(dǎo)體雷射線寬的討論可以知道,即使半導(dǎo)體雷射操作在穩(wěn)態(tài)的狀況下,還是會有因為自發(fā)輻射所引起的相位的雜訊,除此之外,雷射操作的雜訊來源很多,...
從前面的例子中,可以知道線寬增強因子會讓半導(dǎo)體雷射在動態(tài)操作時譜線變寬,接下來我們要討論的是半導(dǎo)體雷射在穩(wěn)態(tài)操作下的發(fā)光線寬。 同樣的,假設(shè)在一單模操作...
早期面射型雷射由于半導(dǎo)體磊晶技術(shù)簡在發(fā)展初期階段,因此還無法直接成長反射率符合雷射操作需求的全磊晶導(dǎo)體分布布拉格反射器,以Iga?教授團隊所發(fā)表的最早電...
早期所謂的面射型雷射(surface emitting laser, EBL)本質(zhì)上仍然是邊射型雷射的延伸,基本上其元件結(jié)構(gòu)的共振腔方向仍然與磊晶面互相...
2024-12-09 標(biāo)簽:雷射 156 0
LASER是“l(fā)ight amplification by stimulated emission of radiation”的縮寫,臺灣音譯為雷射,中...
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