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標(biāo)簽 > 飽和
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為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過程機(jī)理,我們有必要簡(jiǎn)單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別:簡(jiǎn)單來(lái)看,IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個(gè)P+...
三極管是一種半導(dǎo)體器件,它能夠通過操縱其輸入信號(hào),控制輸出信號(hào)的放大、開關(guān)、調(diào)節(jié)等行為,因此被廣泛應(yīng)用于電子電路中。
在實(shí)際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài),實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,...
電感是DC / DC電源中的重要組成部分。選擇電感需要考慮很多因素,例如電感值、DCR、尺寸和飽和電流。電感的飽和特性常會(huì)被人們誤解而帶來(lái)麻煩。本文將探...
我們知道,電感的實(shí)質(zhì)是產(chǎn)生磁場(chǎng)的能力,所以電感量越大,相同條件下磁密就越大,匝數(shù)越多電感量就越大,但對(duì)變壓器來(lái)說(shuō),由于勵(lì)磁電流和負(fù)載電流無(wú)任何關(guān)系,恰恰...
什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?
如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流??梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分。
前一篇介紹了三極管的基本特性和飽和狀態(tài),并引出了三極管開關(guān)應(yīng)用,這次對(duì)三極管開關(guān)做一個(gè)詳細(xì)的介紹。
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路高速開關(guān) 6307 0
反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)的思考(1-6全輯)立即下載
類別:電源技術(shù) 2014-06-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源反激式磁芯 866 2
從磁化機(jī)理去認(rèn)識(shí)什么是變壓器的飽和
用較小的磁化電流‘I’就可以產(chǎn)生相比空心電感大的多的磁通量,那么磁性材料為何有如此功效即產(chǎn)生磁場(chǎng)的能力能夠大大增強(qiáng),從而為減小磁性元器件的體積做出巨大貢...
使用巖崎SY-301測(cè)試單元作為輸出端,經(jīng)過Aigtek ATA-4014高壓功率放大器放大后,激勵(lì)電感磁芯,由SY8232進(jìn)行測(cè)量計(jì)算磁綜合性能,如磁...
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