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標(biāo)簽 > 飽和
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三極管的三個(gè)區(qū)域，通常指的是其在不同工作條件下的狀態(tài)區(qū)域，即截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。這三個(gè)區(qū)域定義了三極管在不同電壓和電流條件下的行為特性，對(duì)于理解和設(shè)...
電感是DC / DC電源中的重要組成部分。選擇電感需要考慮很多因素，例如電感值、DCR、尺寸和飽和電流。電感的飽和特性常會(huì)被人們誤解而帶來麻煩。本文將探...
2023-06-14 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)變換器電感 877 0
昨天，主要介紹了基本放大電路的放大工作狀態(tài)，包括BJT放大的條件、放大工作區(qū)的特點(diǎn)、數(shù)據(jù)結(jié)果分析等。
感值，耐溫，飽和電流，尺寸，價(jià)格，這五個(gè)是我們電感選型的基本坐標(biāo)系，當(dāng)然我們還會(huì)考慮線圈和磁心的形態(tài)，磁材，安裝焊接方式。 選型過程中最惱火的無(wú)過于在數(shù)...
什么是負(fù)載線? 負(fù)載線是連接三極管兩個(gè)極端狀態(tài)的線，即飽和與截止。
當(dāng)磁芯被完全磁化時(shí)，磁疇方向全部和磁場(chǎng)一致，即使再增加外磁場(chǎng)，磁芯也沒有可以旋轉(zhuǎn)的磁疇了，此時(shí)的電感就進(jìn)入了飽和狀態(tài)。
三極管的發(fā)明使人類真正進(jìn)入了半導(dǎo)體時(shí)代，今天我們就來講一講如何在電子設(shè)計(jì)當(dāng)中應(yīng)用三極管。
2023-03-15 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體電子開關(guān) 2133 0
三級(jí)管工作在放大區(qū)時(shí)起放大作用，可用作放大器。
三極管是一種半導(dǎo)體器件，它能夠通過操縱其輸入信號(hào)，控制輸出信號(hào)的放大、開關(guān)、調(diào)節(jié)等行為，因此被廣泛應(yīng)用于電子電路中。
晶體管輸出伏安特性，是指一個(gè)確定的基極電流Ib下，集電極電流Ic與與輸入電壓Uce的關(guān)系，理想狀態(tài)下如下圖關(guān)系，集電極電流與輸入電壓沒有關(guān)系，是由基極電...
前一篇介紹了三極管的基本特性和飽和狀態(tài)，并引出了三極管開關(guān)應(yīng)用，這次對(duì)三極管開關(guān)做一個(gè)詳細(xì)的介紹。
2023-02-08 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路高速開關(guān) 6307 0
上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細(xì)微之處，希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識(shí)別三種特性曲線的區(qū)別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開一個(gè)重要現(xiàn)象——Mille...
“電感飽和”這個(gè)詞相信很多人在學(xué)生時(shí)代都學(xué)習(xí)過，但是當(dāng)時(shí)僅限于書本上的概念性知識(shí)和簡(jiǎn)單應(yīng)用，這個(gè)一直聽到的詞匯你究竟理解其含義嗎？除了電流彎曲失真、燒壞...
為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過程機(jī)理，我們有必要簡(jiǎn)單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別：簡(jiǎn)單來看，IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個(gè)P+...
什么是IGBT的退飽和？什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
如下圖，是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流?？梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分。
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