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標(biāo)簽 > 飽和
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為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過程機(jī)理,我們有必要簡(jiǎn)單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別:簡(jiǎn)單來看,IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個(gè)P+...
三極管是一種半導(dǎo)體器件,它能夠通過操縱其輸入信號(hào),控制輸出信號(hào)的放大、開關(guān)、調(diào)節(jié)等行為,因此被廣泛應(yīng)用于電子電路中。
在實(shí)際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài),實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,...
電感是DC / DC電源中的重要組成部分。選擇電感需要考慮很多因素,例如電感值、DCR、尺寸和飽和電流。電感的飽和特性常會(huì)被人們誤解而帶來麻煩。本文將探...
我們知道,電感的實(shí)質(zhì)是產(chǎn)生磁場(chǎng)的能力,所以電感量越大,相同條件下磁密就越大,匝數(shù)越多電感量就越大,但對(duì)變壓器來說,由于勵(lì)磁電流和負(fù)載電流無任何關(guān)系,恰恰...
什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?
如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流??梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分。
前一篇介紹了三極管的基本特性和飽和狀態(tài),并引出了三極管開關(guān)應(yīng)用,這次對(duì)三極管開關(guān)做一個(gè)詳細(xì)的介紹。
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路高速開關(guān) 6307 0
有開關(guān)動(dòng)作的電路,如下是基礎(chǔ)的拓?fù)渲籅uck電路,我們知道電感L是儲(chǔ)能電感(也可稱為濾波電感,無論何種叫法這里都是合理的,實(shí)質(zhì)是濾波的時(shí)間過程也是儲(chǔ)能過程)。
三極管的三個(gè)區(qū)域,通常指的是其在不同工作條件下的狀態(tài)區(qū)域,即截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。這三個(gè)區(qū)域定義了三極管在不同電壓和電流條件下的行為特性,對(duì)于理解和設(shè)...
簡(jiǎn)單的畫了一個(gè)最基本的電路模型,我們先假設(shè)這個(gè)三極管的Vbe=0.7v, Hfe=10, Icm=100mA 來展開討論。
晶體管輸出伏安特性,是指一個(gè)確定的基極電流Ib下,集電極電流Ic與與輸入電壓Uce的關(guān)系,理想狀態(tài)下如下圖關(guān)系,集電極電流與輸入電壓沒有關(guān)系,是由基極電...
上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細(xì)微之處,希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識(shí)別三種特性曲線的區(qū)別,而不是死記硬背。研究MOS管,一定繞不開一個(gè)重要現(xiàn)象——Mille...
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