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      標簽　>　GaN晶體管

      GaN晶體管

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      HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長...

      2023-06-11 標簽：GaNGaN晶體管 605 0

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      2023-03-08 標簽：氮化鎵GaN晶體管氮化鎵晶體管 2348 0

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      2022-12-16 標簽：GaN晶體管 332 0

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      2021-03-23 標簽：EPCGaNGaN晶體管 3713 0

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      GaN晶體管越來越多地用于各個領(lǐng)域：汽車領(lǐng)域中的電源供應(yīng)以及電流的轉(zhuǎn)換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們看一下如何更好地管理包括臨界條件在...

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      iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢

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      2020-09-28 標簽：adi晶體管氮化鎵 4491 0

      基于GaN晶體管的特性測量交叉導(dǎo)通方案

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      2021-01-08 標簽：開關(guān)電源晶體管氮化鎵 2511 0

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      gan晶體管資訊

      淺談SiC 和 GaN 的未來發(fā)展路線

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      2023-02-06 標簽：SiCGaNGaN晶體管 872 0

      為何選擇VIPERGAN50？

      為何選擇VIPERGAN50？

      傳統(tǒng)上，工程師添加外部器件以提供安全功能并保護其電路。VIPERGAN50可極大提高效率，這意味著意法半導(dǎo)體有空間容納更多的安全功能。

      2022-04-07 標簽：封裝電源電壓GaN晶體管 1251 0

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      全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達系統(tǒng)，對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求

      2012-07-10 標簽：無線射頻科銳通信芯片 1159 1

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