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      標(biāo)簽　>　HBM2E

      HBM2E

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      HBM2E是一種高性能內(nèi)存，具有低功耗和小尺寸的特點(diǎn)。它將 2.5D 封裝與更寬的接口和更低的時鐘速度（與 GDDR6 相比）相結(jié)合，以更高的每瓦帶寬效率為 AI/ML 和高性能計(jì)算 （HPC） 應(yīng)用程序提供更高的整體吞吐量。

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      HBM2E簡介

      　　HBM2E是一種高性能內(nèi)存，具有低功耗和小尺寸的特點(diǎn)。它將 2.5D 封裝與更寬的接口和更低的時鐘速度（與 GDDR6 相比）相結(jié)合，以更高的每瓦帶寬效率為 AI/ML 和高性能計(jì)算 （HPC） 應(yīng)用程序提供更高的整體吞吐量。

      　　Rambus HBM2E 接口完全符合 JEDEC JESD235B 標(biāo)準(zhǔn)。它支持每個數(shù)據(jù)引腳高達(dá) 3.6 Gbps 的數(shù)據(jù)速率。該接口具有 8 個獨(dú)立通道，每個通道包含 128 位，總數(shù)據(jù)寬度為 1024 位。最終帶寬為每個堆棧 461 GB/s，堆棧由 2、4、8 或 12 個 DRAM 組成。

      　　該接口專為帶有插入器的 2.5D 系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，用于在 3D DRAM 堆棧和 SoC 上的 PHY 之間路由信號。這種信號密度和堆疊外形的組合需要特殊的設(shè)計(jì)考慮。為了實(shí)現(xiàn)輕松實(shí)施并提高設(shè)計(jì)靈活性，Rambus 對整個 2.5D 系統(tǒng)執(zhí)行完整的信號和電源完整性分析，以確保滿足所有信號、電源和熱要求。

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      為 AI 黃金時段做好準(zhǔn)備的高帶寬內(nèi)存：HBM2e 與 GDDR6

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      2021-05-25 標(biāo)簽：三星電子RambusHBM2E 2776 0

      GDDR6和HBM2E雙利器！Rambus內(nèi)存接口方案助力突破AI應(yīng)用帶寬瓶頸

      12月9日，Rambus線上設(shè)計(jì)峰會召開，針對數(shù)據(jù)中心的存儲挑戰(zhàn)、5G邊緣計(jì)算，以及內(nèi)存接口方案如何提高人工智能和訓(xùn)練推理應(yīng)用程序的性能，Rambus中...

      2020-12-21 標(biāo)簽：IPRambusAI 6323 0

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      hbm2e數(shù)據(jù)手冊

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