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      標(biāo)簽　>　HyperRAM

      HyperRAM

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      HYPERRAM 系列產(chǎn)品提供了比傳統(tǒng)pseudo-SRAM 更為先進(jìn)的替代選擇，適用于電池和空間受限且需要片外RAM的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

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      HyperRAM簡(jiǎn)介

      　　HYPERRAM 系列產(chǎn)品提供了比傳統(tǒng)pseudo-SRAM 更為先進(jìn)的替代選擇，適用于電池和空間受限且需要片外RAM的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

      　　HYPERRAM 3.0 在 1.8V 工作電壓下的最高運(yùn)行頻率為200MHz，與 HYPERRAM 2.0 和 OCTAL xSPI RAM 相同，但數(shù)據(jù)傳輸速率提高至 800MBps，是以往產(chǎn)品的兩倍。新一代 HYPERRAM 配備了具有 22個(gè)引腳的擴(kuò)展IO HyperBus 接口。

      　　HYPERRAM的三大關(guān)鍵功能是低引腳數(shù)、低功耗和易于控制，可顯著提升物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備的性能。

      　　與低功耗DRAM、SDRAM和CRAM/PSRAM相比，HYPERRAM大幅簡(jiǎn)化了PCB布局設(shè)計(jì)，延長(zhǎng)了移動(dòng)設(shè)備的電池壽命。此外HYPERRAM的處理器體積更小且具備更少的引腳數(shù)，同時(shí)數(shù)據(jù)傳輸速率也得到提高。

      　　HYPERRAM 是一種高速、低引腳數(shù)、低功耗的pseudo-SRAM，適用于需要擴(kuò)展內(nèi)存以用于緩存或緩沖的高性能嵌入式系統(tǒng)。低引腳數(shù)架構(gòu)使HYPERRAM更適用于電源和電路板空間受限且需要片外RAM的應(yīng)用。此項(xiàng)技術(shù)最早由英飛凌（當(dāng)時(shí)的賽普拉斯）于 2015 年推出，現(xiàn)已獲得眾多領(lǐng)先MCU、MPU 和 FPGA 伙伴廠商和客戶的認(rèn)可與支持，生態(tài)系統(tǒng)逐漸成熟。此外，已有多家公司推出了優(yōu)化的HyperBus內(nèi)存控制IP。

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      hyperram知識(shí)

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      2022-04-20 標(biāo)簽：內(nèi)存華邦可穿戴 8694 0

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      hyperram數(shù)據(jù)手冊(cè)

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