sk海力士動(dòng)態(tài)

• SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲(chǔ)器以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑

  近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。為應(yīng)對(duì)

  2025-01-20 標(biāo)簽： NAND 存儲(chǔ)器 晶圓 179 0

• SK海力士與英偉達(dá)加速HBM研發(fā)，供應(yīng)量已敲定

  在2025年國(guó)際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(huì)(CES 2025)期間，韓國(guó)SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露了與英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛的會(huì)面

  2025-01-13 標(biāo)簽： AI 英偉達(dá) SK海力士 115 0

• SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對(duì)AI芯片市場(chǎng)旺盛需求

  SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅

  2025-01-07 標(biāo)簽： DRAM SK海力士 HBM 268 0

• SK海力士在CES 2025展示面向人工智能的存儲(chǔ)技術(shù)

  SK海力士重返拉斯維加斯，參加2025年國(guó)際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(huì)（Consumer Electronics Show，以

  2025-01-07 標(biāo)簽： CES 存儲(chǔ)技術(shù) 人工智能 357 0

• 韓廠首傳減產(chǎn)消息，NAND Flash市場(chǎng)迎供需平衡預(yù)期

  近期，NAND Flash市場(chǎng)再次迎來重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道，繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后，市場(chǎng)又傳出三星、SK海力士?jī)纱箜n

  2025-01-07 標(biāo)簽： NAND 美光 SK海力士 127 0

• 2025年CES展：英偉達(dá)CEO黃仁勛將發(fā)表演講并可能進(jìn)行HBM對(duì)談

  2025年美國(guó)消費(fèi)性電子展(CES)將于1月7日盛大開幕，全球圖形處理器(GPU)巨頭英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛將在此次展

  2025-01-06 標(biāo)簽： 英偉達(dá) SK海力士 HBM 4931 0

• SK海力士2024年重要事件回顧

  2024年，伴隨著人工智能創(chuàng)新浪潮的蓬勃發(fā)展，全球半導(dǎo)體需求顯著回暖。為此，各大晶圓廠紛紛加快了芯片的生產(chǎn)節(jié)奏，以滿足下

  2024-12-30 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器 SK海力士 250 0

• 芯片軍備競(jìng)賽：韓國(guó)打造全球最大半導(dǎo)體中心

  韓國(guó)政府近日提前三個(gè)月批準(zhǔn)了龍仁半導(dǎo)體國(guó)家工業(yè)園區(qū)的建設(shè)計(jì)劃，這一舉措將大幅縮短項(xiàng)目規(guī)劃時(shí)間，標(biāo)志著韓國(guó)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  2024-12-30 標(biāo)簽： 芯片 半導(dǎo)體 SK海力士 238 0

• SK海力士如何以設(shè)計(jì)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)GDDR7速度新巔峰

  挑戰(zhàn)傳統(tǒng)，打破限制，勇攀高峰，打破常規(guī)者們?cè)趯で箝_創(chuàng)性解決方案的過程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰是打破常規(guī)者》播

  2024-12-27 標(biāo)簽： DRAM 存儲(chǔ)器 SK海力士 364 0

• SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備

  近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測(cè)試已經(jīng)

  2024-12-26 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器 內(nèi)存 263 0

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